High-performance CdS nanobelt field-effect transistors with high-κ HfO2 top-gate dielectrics

Journal of Materials Chemistry

Volumn 19, Issue 15, 2009, Pages 2125-2130

  Wu, P C ^a   Ma, R M ^a   Liu, C ^a   Sun, T ^a   Ye, Y ^a   Dai, L ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CADMIUM COMPOUNDS; DATA STORAGE EQUIPMENT; DIELECTRIC MATERIALS; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); HAFNIUM COMPOUNDS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; MISFET DEVICES; NANOBELTS; SEMICONDUCTING CADMIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON COMPOUNDS; THRESHOLD VOLTAGE;

BACK GATES; CDS; CDS NANOBELTS; DEPLETION MODES; INSULATOR LAYERS; ON/OFF RATIOS; PEAK TRANSCONDUCTANCES; PERFORMANCE ENHANCEMENTS; SUB-THRESHOLD SWINGS; TOP GATES; TRANSFER CHARACTERISTICS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 63649138742     PISSN: 09599428     EISSN: 13645501     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/b822518d     Document Type: Article

References (29)

1. J. T. Hu T. W. Odom C. M. Lieber Acc. Chem. Res. 1999 32 435
2. Z. W. Pan Z. R. Dai Z. L. Wang Science 2001 291 1947
3. D. W. Wang Q. Wang Ali. Javey Ryan. Tu H. J. Dai Appl. Phys. Lett. 2003 83 2432
4. W. Park J. S. Kim G. C. Yi H. Lee J. Adv. Mater. 2005 17 1393
5. M. H. Yang K. B. K. Teo L. Gangloff W. I. Miline Appl. Phys. Lett. 2006 88 113507
6. C. Liu L. Dai R. M. Ma W. Q. Yang G. G. Qin J. Appl. Phys. 2008 104 1
7. C. Liu L. Dai L. P. You W. J. Xu R. M. Ma W. Q. Yang Y. F. Zhang G. G. Qin J. Mater. Chem. 2008 18 3912
8. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, second editon), pp. 322, 447-450
9. W. Q. Yang L. Dai R. M. Ma C. Liu T. Sun G. G. Qin Appl. Phys. Lett. 2008 93 033102
10. Y. W. Wang G. W. Meng L. D. Zhang C. H. Liang J. Zhang Chem. Mater. 2002 14 1773
11. X. H. Zhong S. H. Liu Z. H. Zhang L. Li Z. Wei W. Knoll J. Mater. Chem. 2004 14 2790
12. L. F. Dong J. Jiao M. Coulter L. Love Chem. Phys Lett. 2003 376 653
13. Y. Wang C. Y. To D. H. L. Ng Mater. Lett. 2006 60 1151
14. L. Xu Y. Su D. Cai Y. Q. Chen Y. Feng Mater. Lett. 2006 60 1420
15. J. Y. Lee D. S. Kim J. Park Chem. Mater. 2007 19 4663
16. H. Y. Li J. Jiao Chem. Mater. 2008 20 3770
17. R. M. Ma L. Dai H. B. Huo W. Q. Yang G. G. Qin Appl. Phys. Lett. 2006 89 203120
18. R. M. Ma L. Dai G. G. Qin Nano Lett. 2007 7 868
19. R. M. Ma L. Dai H. B. Huo W. J. Xu G. G. Qin Nano Lett. 2007 7 3300
20. R. M. Ma L. Dai G. G. Qin Appl. Phys. Lett. 2007 90 093109
21. X. F. Duan Y. Huang R. Agarwal C. M. Lieber Nature 2003 421 6920
22. B. J. Coppa R. F. Davis R. J. Nemanich Appl. Phys. Lett. 2003 82 400
23. JCPDS Card (No. 80-0006)
24. Y. Huang X. F. Duan Y. Cui C. M. Lieber Nano Lett. 2002 2 2
25. K. Keem D. Y. Jeong S. Kim Nano Lett. 2006 6 7
26. E. Rauly O. Potavin F. Balestra C. Raynaud Solid-State Electronics 1999 43 2033
27. L. A. Yang C. L. Yu Y. Hao Microelectronics Reliability 2008 48 342
28. D. A. Neamen, An Introduction to Semiconductor Devices (McGraw-Hill, 2006), pp. 225-253
29. J. Xiang W. Lu Y. J. Hu Y. Wu H. Yan C. M. Lieber Nature 2006 441 489