Thermal and plasma enhanced atomic layer deposition of Al2O3on GaAs substrates

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 156, Issue 4, 2009, Pages

  Sioncke, Sonja ^a   Delabie, Annelies ^a   Brammertz, Guy ^a   Conard, Thierry ^a   Franquet, Alexis ^a   Caymax, Matty ^a   Urbanzcyk, Adam ^a   Heyns, Marc ^a,c   Meuris, Marc ^a   Van Hemmen, J L ^b   Keuning, W ^b   Kessels, W M M ^b  

^a IMEC   (Belgium)

^b EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^c UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CAPACITANCE MEASUREMENT; ELECTRODEPOSITION; OZONE WATER TREATMENT; PLASMA DEPOSITION; PLASMAS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ANGLE-RESOLVED X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIES; ATOMIC-LAYER DEPOSITIONS; CRITICAL ISSUES; DIELECTRIC LAYERS; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; GAAS; GAAS SUBSTRATES; NATIVE OXIDES; PLASMA-ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITIONS; SEMICONDUCTOR PROCESSING; THERMAL ALD; X-RAY REFLECTIONS;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 61349197531     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3076143     Document Type: Article

References (31)

1. G. Nicholas, B. De Jaeger, P. Zimmerman, D. P. Brunco, B. Kazcer, G. Eneman, M. Meuris, and M. M. Heyns, Institute of Scientific and Technical Communicators, West Sussex, UK, Oct 3-5, 2006.
2. M. Green, M.-Y. Ho, B. Bush, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conard, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Raisanen, D. Muller, J. Appl. Phys., 92, 7168 (2002).
3. M. A. Alam and M. L. Green, J. Appl. Phys., 94, 3403 (2003).
4. 205 (2006).
5. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition, 9, 249 (2003).
6. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., 95, 4777 (2004).
7. T. Conard, W. Vandervorst, J. Petry, C. Zhao, W. Besling, H. Nohira, and O. Richard, Appl. Surf. Sci., 400, 203 (2003).
8. E. P. Gusev, C. Cabral, Jr., M. Copel, C. D'Emic, and M. Gribelyuk, Microelectron. Eng., 69, 145 (2003).
9. P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, H.-J. Li, Y. Senzaki, J. J. Peterson, S. C. Song, S. A. Krishnan, N. Moumen, J. Barnett, G. Bersuker, J. Appl. Phys., 99, 023508 (2006).
10. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, and P. Chang, Appl. Phys. Lett., 87, 252104 (2005).
11. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, and T. D. Lind, Appl. Phys. Lett., 89, 012903 (2006).
12. Y. Xuan, H. C. Lin, P. D. Ye, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett., 88, 263518 (2006).
13. R. Puurunen, J. Appl. Phys., 97, 121301 (2005).
14. P. R. Lefebvre and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1173 (1997).
15. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc., 154, G165 (2007).
16. C. N. Berglund, IEEE Trans. Electron Devices, 13, 701 (1966).
17. K. Martens, W. Wang, K. De Keersmaecker, G. Borghs, G. Groeseneken, and H. Maes, Microelectron. Eng., 84, 2146 (2007).
18. S. Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, and J. Szuber, Vacuum, 80, 888 (2006).
19. J. Shin, K. M. Geib, C. W. Wilmsen, and Z. Lilliental-Weber, J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1894 (1990).
20. A. Delabie, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, B. Onsia, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. M. Heyns, J. Appl. Phys., 97, 064104 (2005).
21. A. Delabie, L. Nyns, M. Caymax, T. Conard, A. Franquet, M. Houssa, D. Lin, M. Meuris, L.-A. Ragnarsson, S. Sioncke, ECS Trans., 11 (7), 227 (2007).
22. C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. J. Hughes, M. Milojevic, B. Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, H. C. Kim, Appl. Phys. Lett., 92, 071901 (2008).
23. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. Chabal, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett., 86, 152904 (2005).
24. A. Delabie, D. P. Brunco, T. Conard, P. Favia, H. Bender, A. Franquet, S. Sioncke, W. Vandervorst, S. Van Elshocht, M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 155, H937 (2008).
25. G. Brammertz, K. Martens, S. Sioncke, A. Delabie, M. Caymax, M. Meuris, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett., 91, 133510 (2007).
26. D. Shahrjerdi, E. Tutuc, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett., 91, 063501 (2007).
27. H.-S. Kim, I. Ok, M. Zhang, F. Zhu, S. Park, J. Yum, H. Zhao, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 91, 042904 (2007).
28. K. Dalapati, Y. Tong, W. Y. Loh, H. K. Mun, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett., 90, 183510 (2007).
29. I. Ok, H. Kim, M. Zhang, F. Zhu, S. Park, J. Yum, H. Zhao, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 91, 132104 (2007).
30. D. Choi, E. Kim, P. C. McIntyre, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett., 92, 203502 (2008).
31. G. Brammertz, H. C. Lin, K. Martens, D. Mercier, C. Merckling, J. Penaud, C. Adelmann, S. Sioncke, W. E. Wang, M. Caymax, J. Electrochem. Soc., 155, H945 (2008).