Kinetics of the initial oxidation of the (0001) 6H-SiC 3 × 3 reconstructed surface

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 112, Issue 43, 2008, Pages 16864-16868

  Soon, Jia Mei ^a,b,c   Ma, Ngai Ling ^b,d   Loh, Kian Ping ^a   Sakata, Osami ^b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF HIGH PERFORMANCE COMPUTING   (Singapore)

^c JAPAN SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH INSTITUTE   (Japan)

^d NOVARTIS INSTITUTE FOR TROPICAL DISEASES   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CHEMISORPTION; DANGLING BONDS; OXIDATION; OXYGEN; SILICON; SILICON CARBIDE;

CHEMISORBED OXYGENS; INITIAL OXIDATIONS; OXYGEN INSERTIONS; RECONSTRUCTED SURFACES; SURFACE DANGLING BONDS; TRANSITION STATES;

CHEMICAL OXYGEN DEMAND;

EID: 56049116453     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp802306e     Document Type: Article

References (41)

1. Silicon Carbide Devices; IEEE Trans. Electron Devices 1999, 46, special issue.
2. Aroutiounian, V. M.; Bouniatian, V. V.; Soukiassian, P. Solid-State Electron. 1999, 43, 343.
3. Radtke, C.; Baumvol, I. J.; Morais, J. Appl. Phys. Lett. 2001, 78 (23), 3601.
4. Soukiassian, P.; Amy, F. J. Electron Spectrosc. 2005, 114, 783.
5. Amy, F.; Enriquez. H.; Soukiassian. P.; Storino. P.-F.; Chabal. Y. J.; Mayne, A. J.; Dujardin, C; Hwu, Y. K.; Brylinski. C. Phys. Rev. Lett. 2001, 86(19). 4342.
6. Amy, F.; Soukiassian, P.; Hwu. Y. K.; Brylinski, C. Phys. Rev. B 2002, 65, 165323.
7. Amy, F. J. Phys. D: Appl. Phvs. 2007, 40 (20). 6201.
8. Xie, X. N.; Loh, K. P.; Yakolev. N.; Wang, S. W.; Wu, P. J. Chem. Phys. 2003, 119 (9), 4905.
9. Chen, W.; Xie, X. N.; Hu, H.; Wee, A. T. S.; Loh, K. P. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 11597.
10. Voegeli, W.; Akimoto, K.; Urata, T.; Nakatani, S.; Sumitani, K.; Takahashi, T.; Hisada. Y.; Mitsuoka, Y.; Makainakano, S.; Sugiyama, H.; Zhang, X.-W.; Kawata, H. Surf. Sci. 2006, 601, 1048.
11. Schardt, J.; Bernhardt, J.; Starke, U.; Heinz, K. Phvs. Rev. B 2000, 62, 10335.
12. Starke, U.; Schardt, J.; Bernhardt, J.; Franke, M.; Reuter, K.; Wedler, H.; Heinz, K.; Furthmuller, J.; Kackell, P.; Bechstedt, F. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 758.
13. Dapprich, S.; Komaromi, I.; Byun, K. S.; Morokuma, K.; Frisch, M. J. J. Mol. Struct.: THEOCHEM 1999, 461, 1.
14. Vreven, T.; Morokuma, K. J. Comput. Chem. 2000, 21 (16), 1420.
15. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Montgomery, J. A., Jr.; Vreven, T.; Kudin, K. N.; Burant, J. C.; Millam, J. M.; Iyengar, S. S.; Tomasi, J.; Barone, V.; Mennucci, B.; Cossi, M.; Scalmani, G.; Rega, N.; Petersson, G. A.; Nakatsuji, H.; Hada, M.; Ehara, M.; Toyota, K.; Fukuda, R.; Hasegawa, J.; Ishida, M.; Nakajima, T.; Honda, Y.; Kitao, O.; Nakai, H.; Klene, M.; Li, X.; Knox, J. E.; Hratchian, H. P.; Cross, J. B.; Bakken, V.; Adamo, C; Jaramillo, J.; Gomperts, R.; Stratmann, R. E.; Yazyev, O.; Austin, A. J.; Cammi, R.; Pomelli, C.; Ochterski, J. W.; Ayala, P. Y.; Morokuma, K.; Voth, G. A.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Zakrzewski, V. G.; Dapprich, S.; Daniels, A. D.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Ortiz, J. V.; Cui, Q.; Baboul, A. G.; Clifford, S.; Cioslowski, J.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, I.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B.; Chen, W.; Wong, M. W.; Gonzalez, C; Pople, J. A. Gaussian 03; Gaussian, Inc.: Wallingford, CT, 2004.
16. Becke, A. D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 1372-1993.
17. Petrenko, T. T.; Petrenko, T. L.; Ya, V.; Monge, J. L. Appl. Surf. Sci. 2001, 184 (1-4), 273.
18. Alam, K. M.; K Ray, A. Nanotechnology 2007, 18, 495706.
19. Lee, C. T.; Yang, W. T.; Parr, R. G. Phys. Rev. B 1988, 37, 785.
20. Petersson, G. A.; Al-Laham, M. A. J. Chem. Phys. 1991, 94, 6081.
21. Petersson, G. A.; Bennett, A.; Tensfeldt, T. G.; Al-Laham, M. A.; Shirley, W. A.; Mantzaris, J. J. Chem. Phys. 1988, 89, 2193.
22. Santos, H. H. R.; Ramos, M. J.; Gomes, J. A. N. F. C. R. Chim. 2005, 8 (9-10), 1461.
23. Jiang, G. P.; Polanyi, J. C.; Rogers, D. Surf. Sci. 2003, 544 (2-3), 147.
24. Lu, X.; Zhang, Q.; Lin, M. C. Phys. Chem. Chem. Phys. 2001, 3 (11), 2156.
25. Vines, F.; Sousa, C.; Illas, F.; Liu, P.; Rodriguez, J. A. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 16982.
26. Vines, F.; Sousa, C.; Illas, F.; Liu, P.; Rodriguez, J. A. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 1307.
27. Becke, A. D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 1372-1993.
28. Lee, C. T.; Yang, W. T.; Parr, R. G. Phys. Rev. B 1988, 37, 785.
29. Petersson, G. A.; Al-Laham, M. A. J. Chem. Phys. 1991, 94, 6081.
30. Petersson, G. A.; Bennett, A.; Tensfeldt, T. G.; Al-Laham, M. A.; Shirley, W. A.; Mantzaris, J. J. Chem. Phys. 1988, 89, 2193.
31. Soon, J. M.; Lim, C. W.; Loh, K. P.; Ma, N. L.; Wu, P. Phys. Rev. B 2005, 72, 115343.
32. Rintelman, J. M.; Gordon, M. S. J. Phys. Chem. B 2004, 108 (23), 7820.
33. Lu, X.; Xu, X.; Wang, N. Q.; Zhang, Q. N. J. Org. Chem. 2002, 67 (2), 515.
34. Wang, G. T.; Mui, C.; Tannaci, J. F.; Filler, M. A.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2003, 107 (21), 4982.
35. Lee, S.-H.; Kang, M.-H. Phys. Rev. B 2000, 61 (12), 8250.
36. Wantanabe, H.; Kato, K.; Uda, T.; Fujita, K.; Ichikawa, M.; Kawamura, T.; Terakura, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 80 (2), 345.
37. Uchiyama, T.; Tsukada, M. Phys. Rev. B 1996, 53 (12), 7917.
38. Kato, K.; Uda, T.; Terakura, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 2000.
39. Kato, K.; Uda, T. Phys. Rev B 2000, 62 (23), 15978.
40. Payne, M. C.; Teter, M. P.; Allan, D. C.; Arias, T. A.; Joannopoulos, J. D. Rev. Mod. Phys. 1992, 64, 1045.
41. Wringt, N. G.; Johnson, C. M.; O'Neill, A. G. Mater. Sci. Eng. 1999, B61, 468.