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Volumn 245, Issue 11, 2008, Pages 2567-2571

Charge deep level transient spectroscopy of electron traps in MOVPE grown n-GaN on sapphire

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EID: 55649123307     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200844243     Document Type: Conference Paper
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References (17)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.