MOCVD of BiFeO3 thin films on SrTiO3

Chemical Vapor Deposition

Volumn 13, Issue 5, 2007, Pages 232-238

  Thery, Jessica ^a,b   Dubourdieu, Catherine ^a   Baron, Thierry ^b   Ternon, Céline ^b   Roussel, Hervé ^a   Pierre, François ^c  

^a MINATEC   (France)

^b Joseph Fourier University   (France)

^c CEA GRENOBLE   (France)

Author keywords

Bismuth iron oxide; Fe valence; MOCVD; Multiferroic materials; Thin films

Indexed keywords

BISMUTH; FILMS; IRON COMPOUNDS; IRON OXIDES; MAGNETS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MICROSCOPIC EXAMINATION; OXIDE FILMS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SATURATION MAGNETIZATION; SEMICONDUCTING BISMUTH COMPOUNDS; STRONTIUM ALLOYS; THICK FILMS; THIN FILMS; X RAY ANALYSIS;

FE IONS; FE VALENCE; MIXED STATES; MOCVD; MULTIFERROIC MATERIALS; MULTIPLE BINDINGS; O THIN FILMS; ORGANIC; SECONDARY PHASES; X-RAY DIFFRACTIONS; X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIES;

X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 54949152355     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200606571     Document Type: Article

References (37)

1. M. Fiebig, J. Phys. D: Appl. Phys. 2005, 38, R123.
2. Yu. N. Venevtsev, G. Zdhanov, S. Solov'ev, Sov. Phys. Crystallogr. 1960, 4, 538.
3. Yu. F. Popov, A. K. Zvezdin, G. P. Vorob'ev, A. M. Kadomtseva, V. A. Murashev, D. N. Rakov, JETP Lett. 1993, 57, 69.
4. I. E. Dzyaloshinskii, J. Phys. Chem. Solids 1958, 4, 241.
5. I. Sosnowska, T. Peterlin-Neumaier, E. Steichele, J. Phys. C: Solid State Phys. 1982, 15, 4835.
6. C. Ederer, N. A. Spalding, Phys. Rev. B 2005, 71, 060401.
7. I. Sosnowska, M. Loewenhaupt, W. I. F. David, R. M. Ibberson, Physica B 1992, 180-181, 117.
8. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh, Science 2003, 299, 1719.
9. W. Eerenstein, F. D. Morrison, J. Do, M. G. Blamire, J. F. Scott, N. D. Mathur, Science 2005, 307, 1203a.
10. J. Wang, A. Scholl, H. Zheng, S. B. Ogale, D. Viehland, D. G. Schlom, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, L. Mohaddes, J. Neaton, U. Waghmare, T. Zhao, R. Ramesh, Science 2005, 507, 1203b.
11. K. Y. Yun, M. Noda, M. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 2003, 55, 3981.
12. K. Y. Yun, M. Noda, M. Okuyama, H. Saeki, H. Tabata, K. Saito, J. Appl. Phys. 2004, 96, 3399.
13. H. Bea, M. Bibes, A. Barthélémy, K. Bouzehouane, E. Jacquet, A. Khodan, J.-P. Contour, S. Fusil, F. Wyczisk, A. Forget, D. Lebeugle, D. Colson, M. Viret, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 072508.
14. H. Béa, M. Bibes, A. Barthélémy, K. Bouzehouane, A. Khodan, J.-P. Contour, S. Fusil, F. Wyczisk, A. Forget, D. Lebeugle, D. Colson, M. Viret, Appl. Phys. Lett. 2005, 88, 062502.
15. S. Iakovlev, C. H. Solterbeck, M. Kuhnke, M. Es-Souni, J. Appl. Phys. 2005, 97, 094901.
16. X. Qi, J. Dho, M. Blamire, Q. X. Jia, J.-S. Lee, S. Foltyn, J. L. MacManus-Driscoll, J. Mag. Mag. Mater. 2004, 283, 415.
17. Y. H. Lee, C. S.Liang, J. M. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 2005, 8, F55.
18. C. Ternon, J. Thery, T. Baron, C. Ducros, F. Sanchette, J. Kreisel, Thin Solid Films 2006, 515, 481.
19. J. Thery, T. Baron, C. Dubourdieu, C. Ternon, B. Pelissier, H. Roussel, S. Coindeau, I.-L. Prejbeanu, Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films and other Emerging Dielectrics VIII [Eds: R. E. Sah, M. J. Deen, J. Zhang, J. Yota, Y. Kamakura], PV 2005-01 - ISBN 1-56677-459-4, Electrochemical Society, Pennington, NJ 2005, pp. 498-509
20. S. Y. Yang, F. Zavaliche, L. Mohaddes-Ardabili, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, Y. J. Lee, Y. H. Chu, M. P. Cruz, Q. Zhan, T. Zhao, R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 102903.
21. S.-W. Kang, S.-W. Rhee, J. Vac. Sci. Technol. A 2003, 21, 340.
22. J. F. Roeder, B. C. Hendrix, F. Hintermaier, D. A. Desrochers, T. H. Baum, G. Bhandari, M. Chappuis, P. C. Van Buskirk, C. Dehm, E. Fritsch, N. Nagel, H. Wendt, H. Cerva, W. Hönlein, C. Mazuré, J. Eur. Ceram. Soc. 1999, 19, 1463.
23. T. Nakamura, R. Muhammet, M. Shimizu, T. Shiosaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part. 1 1993, 32, 4086.
24. P. A. Williams, A. C. Jones, M. J. Crosbie, P. J. Wright, J. F. Bickley, A. Steiner, H. O. Davies, T. J. Leedham, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2001, 7, 205.
25. R. J. Potter, P. A. Marshall, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. R. Chalker, M. Vehkamäki, M. Ritala, M. Leskelä, P. A. Williams, H. O. Davies, N. L. Tobin, L. M. Smith, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2004, 784, 97.
26. S. W. Kang, S. W. Rhee, Thin Solid Films 2004, 468, 79.
27. C. Bedoya, G. G. Condorelli, S. T. Finocchiaro, A. Di Mauro, I. L. Fragnla, L.Cattaneo, S. Carella, Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 261.
28. J. Thery, B. Pelissier, T. Baron, H. Roussel, C. Dubourdieu, unpublished.
29. P. Mills, J. L. Sullivan, J. Phys. D: Appl. Phys. 1983, 16, 723.
30. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, in Handbook of X-Ray Phoroelectron Spectroscopy (Ed: J. Chastain), Perkin-Elmer Corporation 1992.
31. Th. Schedel-Niedrig, W. Weiss, R. Schlögl, Phys. Rev. B 1995, 52, 17449.
32. P. Grant, M. A. J. Somers, Surf. Interf. Anal. 1998, 26, 773.
33. T. Fujii, F. M. F. de Groot, G. A. Sawatzky, F. C. Voogt, T. Hibma, K. Okada, Phys. Rev. B 1999, 59, 3195.
34. F. Kubel, H. Schmid, Acta Crystallogr. Sect. B: Struct. Sci. 1990, B46, 698.
35. H. Bea, M. Bibes, S. Fusil, K. Bouzehouane, E. Jacquet, K. Rode, P. Bencok, A. Barthélémy, Phys. Rev. B 2006, 74, 020101(R).
36. J. P. Sénateur, C. Dubourdieu, F. Weiss, M. Rosina, A. Abrutis, Adv. Mater. Optics Electron. 2000, 10, 155.
37. M. Kawasaki, K. Takahashi, T. Maeda, R. Tsuchiya, M. Shinohara, O. Ishiyama, T. Yonesawa, M. Yoshimoto, H. Koinuma, Science 1994, 266, 1540.