Organic field-effect transistors with a low pinch-off voltage and a Controllable threshold voltage

Advanced Materials

Volumn 20, Issue 3, 2008, Pages 611-615

  Wang, Ying ^a   Liu, Yunqi ^a   Song, Yabin ^a   Ye, Shanghui ^a   Wu, Weiping ^a   Guo, Yunlong ^a   Di, Chong An ^a   Sun, Yanming ^a   Yu, Gui ^a   Hu, Wenping ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTEGRATED CIRCUITS; MESFET DEVICES; THRESHOLD VOLTAGE; TRANSISTORS;

COST SAVINGS; ELECTRICAL CONDUCTIONS; ELECTRONICS; LOWER COSTS; ORGANIC; ORGANIC FETS; PORTABLE APPLICATIONS; PRECISION CONTROLS; SATURATION REGIONS; TO SWITCHES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 54949086746     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200701476     Document Type: Article

References (29)

1. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, C. M. Hart, E. Cantatore, P. T. Herwig, A. J. J. M. van Breemen, D. M. de Leeuw, Nature 2001, 414, 599.
2. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
3. H. Sirringhaus, Nat. Mater. 2003, 2, 641.
4. B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, A. Gelperin, H. E. Katz, Z. Bao. J. Appl. Phyn 2001, 91, 10 140.
5. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, T. N. Jackson. IEEE Trans. Electron Devices 1997, 18, 606.
6. Y. Wang, H. Wang, Y. Liu, C. Di, Y. Sun, W. Wu, G. Yu, D. Zhang, D. Zhu, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 13 058.
7. K. Xiao, Y. Liu, T. Qi, W. Zhang, F. Wang, J. Gao, W. Qiu, Y. Ma, G. Cui, S. Chen, X. Zhan, G. Yu, J. Qin, W. Hu, D. Zhu, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13 281.
8. H. Usta, G. Lu, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9034.
9. K. P. Pernstich, S. Hass, D. Oberhoff, C. Goldmann, D. J. Gundlach, B. Batlogg, A. N. Rashid, G. Schitter, J. Appl. Phys. 2004, 96, 6431.
10. G. H. Gelinck, E. van Veenendaal, R. Coehoorn, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 073 508.
11. Y. Abe, T. Hasegawa, Y. Takahashi, T. Yamada, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 153 506.
12. S. Iba, T. Sekitani, Y. Kato, T. Someya, H. Kawaguchi, M. Takamiya, T. Sakurai, S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 023 509.
13. K. J. Baeg, Y. Y. Noh, J. Ghim, S. J. Kang, H. Lee, D. Y. Kim, Adv. Mater. 2006, 18, 3179.
14. G. Horowitz, R. Hajlaoui, H. Bouchriha, R. Bourguiga, M. Hajlaoui, Adv. Mater. 1998, 10, 923.
15. P. K. Watson, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 1995, 2, 915.
16. M. Yoshida, H. Kawai, T. Kawai, S. Uemura, T. Kodzasa, T. Kamata, Proc. SPIE 2005, 5940, 594 003.
17. A. R. Tameev, Z. He, G. H. W. Milburn, A. Danel, P. Tomasik, A. V. Vannikov, Russ. J. Electrochem. 2004, 40, 359.
18. Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices 1997, 44, 1325.
19. W.-Y. Chou, H.-L. Cheng, Adv.Funct. Mater. 2004, 14, 811.
20. T.-S. Huang, Y.-K. Su, P.-C. Wang, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 092 116.
21. A. A. El Tayyanl, A. Khogali, Chin. J. Phys. 2004, 42, 392.
22. M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benziger, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
23. D. Knipp, R. A. Street, A. Völkel, J. Ho, J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
24. O. Tal, Y. Rosenwaks, Y. Roichman, Y. Preezant, N. Tessler, C. K. Chan, A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043 509.
25. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices. Wiley, New York 2007.
26. M. H. Choo, J. H. Kim, S. Im, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4640.
27. E. J. Meijer, C. Detcheverry, P. J. Baesjou, E. van Veenendaal, D. M.de Leeuw, T. M. Klapwijk, J. Appl. Phys. 2003, 93, 4831.
28. G. Horowitz, F. Garnier, A. Yassar, R. Hajlaoui, F. Kouki. Adv. Mater. 1996, 8, 52.
29. J. B. Koo, J. H. Lee, C. H. Ku, S. C. Lim, S. H. Kim, J. W. Lim, S. J. Yun, T. Zyung, Synth. Met. 2006, 156, 633.