1-Imino nitroxide pyrene for high performance organic field-effect transistors with low operating voltage

Journal of the American Chemical Society

Volumn 128, Issue 40, 2006, Pages 13058-13059

  Wang, Ying ^a   Wang, Hongmei ^a   Liu, Yunqi ^a   Di, Chong An ^a   Sun, Yanming ^a   Wu, Weiping ^a   Yu, Gui ^a   Zhang, Deqing ^a   Zhu, Daoben ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

1 IMINONITROXIDE PYRENE; IMINE; NITROXIDE DERIVATIVE; PYRENE DERIVATIVE; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; CHEMICAL ANALYSIS; CHEMICAL STRUCTURE; ELECTRIC POTENTIAL; MATERIALS; MATERIALS TESTING; ORGANIC CHEMISTRY; PHYSICAL CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR;

EID: 33749530042     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja064580x     Document Type: Article

References (28)

1. (a) Baude, P. F.; Ender, D. A.; Haase, M. A.; Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Theiss, S. D. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964.
2. (b) Drury, C. J.; Mutsaers, C. M. J.; Hart, C. M.; Matters, M.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 108.
3. (c) Sheraw, C. D.; Zhou, L.; Huang, J.; Gundlach, D. J.; Jackson, T. N.; Kane, M. G.; Hill, I. G.; Hammond, M. S.; Campi, J.; Greening, B. K.; Francl, J.; West, J. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088.
4. (d) Huitema, H. E. A.; Gelinck, G. H.; van der Putten, J. B. P. H.; Kuijk, K. E.; Hart, C. M.; Cantatore, E.; Herwig, P. T.; van Breemen, A. J. J. M.; de Leeuw, D. M. Nature 2001, 414, 599.
5. (e) Crone, B. K.; Dodabalapur, A.; Sarpeshkar, R.; Gelperin, A.; Kate, H. E.; Bao, Z. J. Appl. Phys. 2001, 91, 10140.
6. (f) Bartic, C.; Campitelli, A.; Borghs, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 475.
7. Lin, Y.; Gundlach, D. J.; Nelson, S. F.; Jackson, T. N. IEEE Trans. Electron Devices Lett. 1997, 18, 606.
8. (a) Meng, H.; Bendikov, M.; Mitchell, G.; Helgeson, R.; Wudl, F.; Bao, Z.; Siegrist, T.; Kloc, C.; Chen, C. H. Adv. Mater. 2003, 15, 1090.
9. (b) Sakamoto, Y.; Suzuki, T.; Kobayashi, M.; Gao, Y.; Fukai, Y.; Inoue, Y.; Sato, F.; Tokito, S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 8138.
10. Kunugi, Y.; Takimiya, K.; Yamane, K.; Yamashita, K.; Aso, Y.; Otsubo, T. Chem. Mater. 2003, 15, 6.
11. Videlot, C.; Ackermann, J.; Blanchard, P.; Raimundo, J.-M.; Frère, P.; Allain, M.; Bettignies, R.; Levillain, E.; Roncali, J. Adv. Mater. 2003, 15, 306.
12. Meng, H.; Zheng, J.; Lovinger, A. J.; Wang, B.-C.; Van Patten, P. G.; Bao, Z. Chem. Mater. 2003, 15, 1778.
13. Ito, K.; Suzuki, T.; Sakamoto, Y.; Kubota, D.; Inoue, Y.; Sato, F.; Tokito, S. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 1159.
14. Xiao, K.; Liu, Y.; Qi, T.; Zhang, W.; Wang, F.; Gao, J.; Qiu, W.; Ma, Y.; Cui, G.; Chen, S.; Zhan, X.; Yu, G.; Qin, J.; Hu, W.; Zhu, D. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13281.
15. Li, Y.; Wu, Y.; Gardner, S.; Ong, B. S. Adv. Mater. 2005, 17, 849.
16. Nor, S.-I.; Chang, H.-C.; Takenobu, T.; Murayama, Y.; Kanbara, T.; Aoyama, T.; Sassa, T.; Wada, T.; Tanaka, D.; Kitagawa, S.; Iwasa, Y.; Akutagawa, T.; Nakamura, T. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 10012.
17. Wang, H.; Zhang, D.; Guo, X.; Zhu, L.; Shuai, Z.; Zhu, D. Chem. Commun. 2004, 670.
18. Zhang, H.; Wang, Y.; Shao, K.; Liu, Y.; Chen, S.; Qiu, W.; Sun, X.; Qi, T.; Ma, Y.; Yu, G.; Su, Z.; Zhu, D. Chem. Commun. 2006, 755.
19. (a) Kobayashi, S.; Nishikawa, T.; Takenobu, T.; Mori, S.; Shimoda, T.; Mitani, f.; Shimotani, H.; Yoshimoto, N.; Ogawa, S.; Iwasa, Y. Nat. Mater. 2004, 3, 317.
20. (b) Wang, L.; Fine, D.; Jung, T.; Basu, D.; von Seggem, H.; Dodabalapur, A. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1722.
21. (c) Tsumura, A.; Koezuka, H.; Ando, T. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 1210.
22. (d) Deen, M. J.; Kazemeini, M. H.; Haddara, Y. M.; Yu, J.; Vamvounis, G.; Holdcroft, S.; Woods, W. IEEE Trans. Electron Devices 2004, 51, 1892.
23. (a) Sze, S. M. Semiconductor Devices: Physics and Technology; Wiley: New York, 1985.
24. (b) Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; da Silva Filho, D. A.; Bredas, J.-L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
25. Majewski, L. A.; Schroeder, R.; Grell, M. Adv. Mater. 2005, 17, 192.
26. (a) Hamadani, B. H.; Natelson, D. J. Appl. Phys. 2005, 97, 064508.
27. (b) Kanicki, J.; Libsch, F. R.; Griffith, J.; Polastre, R. J. Appl. Phys. 1991, 69, 2339.
28. (c) Wu, Y.; Li, Y.; Ong, B. S. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 4202.