Morphology and electrical conduction of Si:P δ -doped layers on vicinal Si(001)

Journal of Applied Physics

Volumn 104, Issue 6, 2008, Pages

  Reusch, T C G ^a   Goh, K E J ^a   Pok, W ^a   Lo, W C N ^a   McKibbin, S R ^a   Simmons, M Y ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 54749145467     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2977750     Document Type: Article

References (24)

1. T. -C. Shen, J. S. Kline, T. Schenkel, S. J. Robinson, J. -Y. Ji, C. Yang, R. -R. Du, and J. R. Tucker, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1813466 22, 3182 (2004).
2. F. J. Rueß, W. Pok, T. C. G. Reusch, M. J. Butcher, K. E. J. Goh, G. Scappuci, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Small 1613-6810 10.1002/smll.200600680 3, 563 (2007).
3. F. J. Rueß, W. Pok, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2840182 92, 052101 (2008).
4. N. L. Mattey, T. E. Whall, R. A. Kubiak, and M. J. Kearney, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/7/4/029 7, 604 (1992).
5. S. Agan, O. A. Mironov, E. H. C. Parker, T. E. Whall, C. P. Parry, V. Y. Kashirin, Y. F. Komnik, V. B. Krasovitsky, and C. J. Emeleus, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.075402 63, 075402 (2001).
6. T. -C. Shen, J. -Y. Ji, M. A. Zudov, R. -R. Du, J. S. Kline, and J. R. Tucker, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1456949 80, 1580 (2002).
7. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1827940 85, 4953 (2004).
8. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and M. J. Butcher, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.73.035401 73, 035401 (2006).
9. S. J. Robinson, J. S. Kline, H. J. Wheelwright, J. R. Tucker, C. L. Yang, R. R. Du, B. E. Volland, I. W. Rangelow, and T. -C. Shen, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.74.153311 74, 153311 (2006).
10. M. Fuechsle, F. J. Ruess, T. C. G. Reusch, M. Mitic, and M. Y. Simmons, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.2781512 25, 2562 (2007).
11. Y. Markus, U. Meirav, H. Shtrikman, and B. Laikhtman, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/9/7/002 9, 1297 (1994).
12. A. C. Churchill, G. H. Kim, A. Kurobe, M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, M. Pepper, and G. A. C. Jones, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/6/31/012 6, 6131 (1994).
13. Y. Tokura, T. Saku, and Y. Horikoshi, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.53.R10528 53, R10528 (1996).
14. B. S. Swartzentruber, N. Kitamura, M. G. Lagally, and M. B. Webb, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.47.13432 47, 13432 (1993).
15. T. C. G. Reusch, N. J. Curson, S. R. Schofield, T. Hallam, and M. Y. Simmons, Surf. Sci. 0039-6028 10.1016/j.susc.2005.10.031 600, 318 (2006).
16. Q. Cai and W. Zhou, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/16/39/016 16, 6835 (2004).
17. C. Preinesberger, G. Pruskil, S. K. Becker, M. Dähne, D. V. Vyalikh, S. L. Molodtsov, C. Laubschat, and F. Schiller, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2032620 87, 083107 (2005).
18. R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, and L. -E. Swartz, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.44.3054 44, 3054 (1991).
19. J. Wasserfall and W. Ranke, Surf. Sci. 331-333, 1099 (1995). 0039-6028
20. Y. Wang and R. J. Hamers, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113901 66, 2057 (1995).
21. Y. Wang, X. Chen, and R. J. Hamers, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.50.4534 50, 4534 (1994).
22. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 0034-6861 10.1103/RevModPhys.54.437 54, 437 (1982).
23. S. Hikami, A. I. Larkin, and Y. Nagaoka, Prog. Theor. Phys. 0033-068X 10.1143/PTP.63.707 63, 707 (1980).
24. I. L. Aleiner, B. L. Altshuler, and M. E. Gershenson, Waves Random Media 0959-7174 10.1088/0959-7174/9/2/308 9, 201 (1999).