AlGaNGaN Schottky barrier diodes with multi-MgxNyGaN buffer

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 10, 2008, Pages

  Lee, K H ^a   Chang, S J ^a   Chang, P C ^b   Wang, Y C ^a   Kuo, C H ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^c NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL LAYERS; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL DESIGN; OPTICAL ENGINEERING; SEMICONDUCTING GALLIUM;

ALGANGAN; CRYSTAL QUALITIES; SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT; THREADING DISLOCATION;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 51849136048     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2959117     Document Type: Article

References (27)

1. P. S. Chen, C. S. Lee, J. T. Yan, and C. T. Lee, Electrochem. Solid-State Lett., 10, H156 (2007).
2. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 3976 (1999).
3. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 278 (2002).
4. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett., 20, 161 (1999).
5. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 586 (2001).
6. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. Denbaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 46, 756 (1998).
7. M. A. Khan, M. S. Shur, Q. Chen, J. N. Kuznia, and C. J. Sun, Electron. Lett., 31, 398 (1995).
8. M. L. Lee, J. K. Sheu, Y. K. Su, S. J. Chang, W. C. Lai, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 25, 593 (2004).
9. C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 39, L387 (2000).
10. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 21, 63 (2000).
11. T. Egawa, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, H. Umeno, and T. Jimbo, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 603 (2001).
12. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, A. Ping, and I. Adesida, Electron. Lett., 33, 1255 (1997).
13. M. Bhatnagar, P. K. McLarty, and B. J. Baliga, IEEE Electron Device Lett., 13, 501 (1992).
14. J. Kotani, T. Hashizume, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2179 (2004).
15. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 30, L1705 (1991).
16. L. Sugiura, K. Itaya, J. Nishio, H. Fujimoto, and Y. Kokubun, J. Appl. Phys., 82, 4877 (1997).
17. M. Sumiya, N. Ogusu, Y. Yotsuda, M. Itoh, S. Fuke, T. Nakamura, S. Mochizuki, T. Sano, S. Kamiyama, H. Amano, J. Appl. Phys., 93, 1311 (2003).
18. P. Vennegues, B. Beaumont, V. Bousquet, M. Vaille, and P. Gibart, J. Appl. Phys., 87, 4175 (2000).
19. C. J. Tun, C. H. Kuo, Y. K. Fu, C. W. Kuo, C. J. Pan, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett., 90, 212109 (2007).
20. S. K. Hong, T. Yao, B. J. Kim, S. Y. Yoon, and T. I. Kim, Appl. Phys. Lett., 77, 82 (2000).
21. J. H. You and H. T. Johnson, J. Appl. Phys., 101, 023516 (2007).
22. M. E. Vickers, M. J. Kappers, R. Datta, C. McAleese, T. M. Smeeton, F. D. G. Rayment, and C. J. Humphreys, J. Phys. D, 38, A99 (2005).
23. H. Heinke, V. Kirchner, S. Einfeldt, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett., 77, 2145 (2000).
24. P. G. Neudeck and C. Fazi, IEEE Electron Device Lett., 18, 96 (1997).
25. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed., p. 168, John Wiley & Sons, New York (1998).
26. H. Norde, J. Appl. Phys., 50, 5052 (1979).
27. S. K. Cheung and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett., 49, 85 (1986).