Atomic structure of the interface between SrTiO3 thin films and Si(001) substrates

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 10, 2008, Pages

  Mi, Shao Bo ^a   Jia, Chun Lin ^a   Vaithyanathan, Venu ^b   Houben, Lothar ^a   Schubert, Jürgen ^a   Schlom, Darrell G ^b   Urban, Knut ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b School of Operations Research and Industrial Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC STRUCTURES;

STRONTIUM ALLOYS;

EID: 51749123530     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2981524     Document Type: Article

References (15)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1361065 89, 5243 (2001); D. G. Schlom and J. H. Haeni, MRS Bull. 27, 198 (2002). 0883-7694
2. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.81.3014 81, 3014 (1998).
3. C. J. Först, C. R. Ashman, K. Schwarz, and P. Blöchl, Nature (London) 0028-0836 10.1038/nature02204 427, 53 (2004); K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126023 76, 1324 (2000).
4. F. J. Walker and R. A. McKee, in High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications, edited by, H. R. Huff, and, D. C. Gilmer, (Springer, Berlin, 2005), p. 607.
5. X. M. Hu, H. Li, Y. Liang, Y. Wei, Z. Yu, D. Marshall, J. Edwards, R. Droopad, X. Zhang, A. A. Demkov, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1536247 82, 203 (2003); K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 0884-2914 10.1557/JMR.1996.0350 11, 2757 (1996).
6. I. N. Yakovkin and M. Gutowski, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.70.165319 70, 165319 (2004).
7. X. Zhang, A. A. Demkov, H. Li, X. Hu, Y. Wei, and J. Kulik, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.68.125323 68, 125323 (2003).
8. L. F. Kourkoutis, C. S. Hellberg, V. Vaithyanathan, H. Li, M. K. Parker, K. E. Andersen, D. G. Schlom, and D. A. Muller, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.100.036101 100, 036101 (2008); J. Q. He, C. L. Jia, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, J. Schubert, A. Gerber, H. H. Kohlstedt, and R. H. Wang, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1915519 97, 104921 (2005); L. V. Goncharova, D. G. Starodub, E. Garfunkel, T. Gustafsson, V. Vaithyanathan, J. Lettieri, and D. G. Schlom, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2206710 100, 014912 (2006).
9. D. G. Schlom, C. A. Billman, J. H. Haeni, J. Lettieri, P. H. Tan, R. R. M. Held, S. Völk, and K. J. Hubbard, in Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics, edited by, S. B. Ogale, (Springer, New York, 2005), p. 31.
10. H. Mori and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.30.L1415 30, L1415 (1991).
11. R. A. McKee, F. J. Walker, E. D. Specht, G. E. Jellisen, L. A. Boatner, and J. H. Harding, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.72.2741 72, 2741 (1994).
12. G. Y. Yang, J. M. Finder, J. Wang, Z. L. Wang, Z. Yu, J. Ramdani, R. Droopad, K. W. Eisenbeiser, and R. Ramesh, J. Mater. Res. 0884-2914 10.1557/JMR.2002.0030 17, 204 (2002); H. Li, X. Hu, Y. Wei, Z. Yu, X. Zhang, R. Droopad, A. A. Demkov, J. Edwards, Jr., K. Moore, and W. Ooms, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1562001 93, 4521 (2003); C. R. Ashman, C. J. Först, K. Schwarz, and P. Blöchl, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.69.075309 69, 075309 (2004).
13. M. Haider, H. Rose, S. Uhlemann, B. Kabius, and K. Urban, Nature (London) 0028-0836 10.1038/33823 392, 768 (1998); C. L. Jia, M. Lentzen, and K. Urban, Science 0036-8075 10.1126/science.1079121 299, 870 (2003).
14. J. Lettieri, J. H. Haeni, and D. G. Schlom, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.1482710 20, 1332 (2002).
15. M. A. O'Keefe and R. Kilaas, Scanning Microsc. Suppl. 2, 225 (1988). 0892-953X