Characteristics of long wavelength InGaN quantum well laser diodes

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 10, 2008, Pages

  Kim, K S ^a   Son, J K ^a   Lee, S N ^a   Sung, Y J ^a   Paek, H S ^a   Kim, H K ^a   Kim, M Y ^a   Ha, K H ^a   Ryu, H Y ^a   Nam, O H ^a,b   Jang, T ^a   Park, Y J ^a  

^a Samsung Electro Mechanics   (South Korea)

^b Korea Polytechnic University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTINUOUS WAVE LASERS; ELECTROLUMINESCENCE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

OPTICAL CONFINEMENT LAYERS (OCLS);

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 40849139596     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2892634     Document Type: Article

References (15)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 JAPLD8 0021-4922 10.1143/JJAP.34.L1332 34, L1332 (1995).
2. T. Mukai, H. Narimatsu, S. Nakamura, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 JAPLD8 0021-4922 10.1143/JJAP.37.L479 37, L479 (1998).
3. T. Kozaki, H. Matsumura, Y. Sugimoto, S. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE PSISDG 0277-786X 10.1117/12.641460 6133, 613306 (2006).
4. O. H. Nam, K. H. Ha, H. Y. Ryu, S. N. Lee, J. K. Son, T. H. Chang, K. S. Kim, H. S. Paek, Y. J. Sung, H. G. Kim, S. H. Chae, Y. H. Kim, and Y. Park, International Workshop on Nitride Semiconductors, Kyoto, 2006 (unpublished).
5. Y. H. Cho, S. K. Lee, H. S. Kwack, J. Y. Kim, K. S. Lim, H. M. Kim, T. W. Kang, S. N. Lee, M. S. Seon, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1613043 83, 2578 (2003).
6. S. Nagahama, Y. Sugimoto, T. Kozaki, and T. Mukai, Proc. SPIE PSISDG 0277-786X 10.1117/12.597098 5738, 57 (2005).
7. J. K. Son, T. Sakong, S. N. Lee, H. S. Paek, H. Ryu, K. H. Ha, O. Nam, Y. Park, J. S. Hwang, and Y. H. Cho, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2437680 90, 051918 (2007).
8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.116981 69, 4188 (1996).
9. A. Satake, Y. Masumoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura, and M. Ikeda, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.57.R2041 57, R2041 (1998).
10. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.123275 74, 263 (1999).
11. J. K. Son, J. S. Hwang, S. N. Lee, T. Sakong, H. Paek, S. Chae, H. K. Kim, O. Nam, J. Y. Kim, Y. H. Cho, and Y. Park, Phys. Status Solidi C ZZZZZZ 1610-1634 3, 2178 (2006).
12. J. K. Son, S. N. Lee, T. Sakong, H. S. PaeK, O. H. Nam, Y. Park, J. S. Hwang, J. Y. Kim, and Y. H. Cho, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.071 287, 558 (2006).
13. T. Akasaka, H. Gotoh, T. Saito, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1804607 85, 3089 (2004).
14. S. N. Lee, H. S. Paek, J. K. Son, T. Sakong, Y. N. Kwon, O. H. Nam, and Y. Park, Phys. Status Solidi A PSSABA 0031-8965 10.1002/pssc.200673530 4, 141 (2007).
15. J. K. Son, T. Sakong, J. S. Hwang, S. N. Lee, H. S. Paek, H. Y. Ryu, K. H. Ha, Y. H. Cho, O. Nam, and Y. Park, Phys. Status Solidi A PSSABA 0031-8965 10.1002/pssc.200673531 4, 192 (2007).