Effect of rapid thermal annealing on a Ti/Au ohmic contact to n-ZnO

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 53, Issue 1, 2008, Pages 335-338

  Kim, J H ^a   Moon, J Y ^a   Lee, H S ^a   Ahn, C H ^b   Cho, H K ^b   Lee, J Y ^c   Kim, H S ^c  

^a Kyungpook National University   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

^c Korea Maritime University   (South Korea)

Author keywords

Contact resistance; Dc sputtering; n ZnO; Ohmic contact

Indexed keywords

EID: 49649105015     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.53.335     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
2. J. H. Kim, J. Y. Moon, H. S. Lee, B. H. Kong, H. K. Cho, E. S. Jung, H. S. Kim and T. W. Kim, J. Korean Phys. Soc. 52, 1061 (2008).
3. J. W. Shin, J. Y. Lee, Y. S. No, J. H. Jung, T. W. Kim and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 90, 181907 (2007).
4. E. S. Jung, H. S. Kim, B. H. Kong, H. K. Cho, N. K. Park and H. S. Lee, Phys. Stat. Sol. (b) 244, 1553 (2007).
5. B. H. Kong, D. C. Kim, Y. Y. Kim and H. K. Cho, J. Korean Phys. Soc. 50, 1701 (2007).
6. B. H. Kong, D. C. Kim, Y. Y. Kim and H. K. Cho, J. Korean Phys. Soc. 49, S741 (2006).
7. K. Ip, G. T. Thaler, H. Yang, S. Y. Han, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jand and F. Ren, J. Cryst. Growth 287, 149 (2006).
8. D. C. Look, B. Claflin, Ya. I. Alivov and S. J. Park, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 2203 (2004).
9. E. S. Jung, H. J. Lee, H. S. Kim and H. K. Cho, J. Korean Phys. Soc. 49, S764 (2006).
10. S. H. Kim, H. K. Kim and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 112101 (2005).
11. H. K. Kim, J. W. Bae, K. K. Kim, S. J. Park, T. Y. Seong and I. Adesida, Thin Solid Films 447/448, 90 (2004).
12. A. A. Iliadis, R. D. Vispute, T. Venkatesan and K. A. Jones, Thin Solid Films 420/421, 478 (2002).
13. S. H. Kim, K. K. Kim, S. J. Park and T. Y. Seong, J. Electrochem. Soc. 152, G169 (2005).
14. H. K. Kim, I. Adesida, K. K. Kim, S. J. Park and T. Y. Seong, J. Electrochem. Soc. 151, G223 (2004).
15. H. K. Kim, K. K. Kim, S. J. Park, T. Y. Seong and I. Adesida, J. Appl. Phys. 94, 4225 (2003).
16. Ya. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett. 83, 4719 (2003).
17. Ya. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003).
18. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
19. H. S. Yang, Y. Li, D. P. Norton, K. Ip, S. J. Pearton, S. Jang and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 86, 192103 (2005).
20. H. K. Kim, S. H. Han, T. Y. Seong and W. K. Choi, J. Electrochem. Soc. 148, G114 (2001).
21. H. K. Kim, S. H. Han, T. Y. Seong and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 77, 1647 (2000).
22. J. S. Jang, I. S. Chang, H. K. Kim, T. Y. Seong, S. Lee and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 74, 70 (1999).