Ir/Pt Schottky contact oxidation for nitride-based Schottky barrier diodes

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 4, Issue 5, 2007, Pages 1625-1628

  Chang, P C ^a   Yu, C L ^b   Liu, C H ^a   Chang, S J ^b   Su, Y K ^b   Chuang, R W ^b   Chiu, Y J ^b  

^a NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOUND SEMICONDUCTORS; INTERNATIONAL SYMPOSIUM; SCHOTTKY CONTACTS; SCHOTTKY DIODES;

ANNEALING; ARSENIC COMPOUNDS; CHEMICAL OXYGEN DEMAND; CHLORINE COMPOUNDS; CRYSTALS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; NITRIDES; OPTICAL DESIGN; OXIDATION; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR DIODES; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 49549119982     PISSN: 18626351     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200674251     Document Type: Conference Paper

References (20)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mukai, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69,4056(1996).
2. T. C. Wen, S. J. Chang, C. T. Lee, W. C. Lai, and J. K. Sheu, IEEE Trans. Electron. Dev. 51, 1743 (2004).
3. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
4. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, D. A. Wood, G. Hill, and C. R. Whitehouse, Appl. Phys. Lett. 80, 3207 (2002).
5. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. Denbaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756(1998).
6. S. N. Mohammad, Z. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, and A. Salvador, Electron. Lett. 32, 598 (1996).
7. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
8. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Electron. Lett. 32, 1832 (1996).
9. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999).
10. C. M. Jeon, H. W. Jang, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 391 (2003).
11. J. K. Kim, H. W. Jang, C. M. Jeon, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 4655 (2002).
12. H. Jiang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. B. Dou, C. L. Shao, and T. Jimbo, Electron. Lett. 39, 1604 (2003).
13. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron. Device Lett. 22, 460 (2001).
14. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 559 (2001).
15. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai, IEEE Sens. J. 2, 366 (2002).
16. H. W. Jang and J. L. Lee, J. Appl. Phys. 93, 5416 (2003).
17. J. D. Guo, M. S. Feng, R. J. Guo, F. M. Pan, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 67, 2657 (1995).
18. K. M. Tracy, P. J. Hartlieb, S. Einfeldt, R. F. Davis, E. H. Hurt, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 3939 (2003).
19. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1988).
20. H. Norde, J. Appl. Phys. 50, 5052 (1979). Q. Wang, Y. Yang, and R. Wang, phys. stat. sol. (a) 155, 289 (1996).