Liquid phase chemical enhanced oxidation on AlGaAs and its application

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 43, Issue 7 A, 2004, Pages 4087-4091

  Lee, Kuan Wei ^a   Wang, Yeong Her ^a   Houng, Mau Phon ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

AES; AlGaAs; Liquid phase; Oxidation; PHEMT; XPS

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CHEMICAL BONDS; CURRENT DENSITY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; LEAKAGE CURRENTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOS DEVICES; OXIDATION; RAMAN SPECTROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ALGAAS; LIQUID PHASE CHEMICAL ENHANCED OXIDATION (LPCEO); PSEUDOMORPHIC HIGH-ELECTRONIC MOBILITY TRANSISTORS (PHEMT); RAPID TEMPERATURE ANNEALING;

SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 4644332251     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.43.4087     Document Type: Article

References (26)

1. K. D. Choquette, K. M. Geib, C. I. H. Ashby, R. D. Twesten, O. Blum, H. Q. Hou, D. M. Follstaedt, B. E. Hammons, D. Mathes and R. Hull: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3 (1997) 916.
2. E. I. Chen, N. Holonyak, Jr. and S. A. Maranowski: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2688.
3. P. A. Parikh, S. S. Shi, J. Ibettson, E. L. Hu and U. K. Mishra: Electron. Lett. 32 (1996) 1724.
4. C. B. DeMelo, D. C. Hall, G. L. Snider, D. Xu, G. Kramer and N. El-Zein: Electron. Lett. 36 (2000) 84.
5. E. F. Yu, J. Shen, M. Walther, T. C. Lee and R. Zhang: Electron. Lett. 36 (2000) 359.
6. B. K. Jun, D. H. Kim, J. Y. Leem, J. H. Lee and Y. H. Lee: Thin Solid Films 360 (2000) 229.
7. Y. S. Lee, Y. H. Lee and J. H. Lee: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 2717.
8. T. Langenfelder, St. Schroder and H. Grothe: J. Appl. Phys. 82 (1997) 3548.
9. J. Yu, Y. Aoyagi, S. Iwai, K. Toyoda and S. Namba: J. Appl. Phys. 56 (1984) 1895.
10. C. W. Fischer and S. W. Teare: J. Appl. Phys. 67 (1990) 2608.
11. R. P. H. Chang, C. C. Chang, J. J. Coleman, R. L. Kauffinan, W. R. Wagner and L. C. Feldman: J. Appl. Phys. 48 (1977) 5384.
12. H. H. Wang, Y. H. Wang and M. P. Houng: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L988.
13. H. H. Wang, C. J. Huang, Y. H. Wang and M. P. Houng: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L67.
14. H. H. Wang, J. Y. Wu, Y. H. Wang and M. P. Houng: J. Electrochem. Soc. 146 (1999) 2328.
15. H. H. Wang, D. W. Chou, Y. H. Wang and M. P. Houng: Physica Scripta T 79 (1999) 239.
16. H. H. Wang, D. W. Chou, J. Y. Wu, Y. H. Wang and M. P. Houng: J. Appl. Phys. 87 (2000) 2629.
17. H. H. Wang, D. W. Chou, J. Y. Wu, Y. H. Wang and M. P. Houng: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 4477.
18. H. J. Yoon, M. H. Choi and I. S. Park: J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 3229.
19. Z. R. Wasilewski, M. M. Dion, D. J. Lockwood, P. Poole, W. R. Streater and A. J. Spring Thorpe: J. Appl. Phys. 81 (1997) 1683.
20. Z. Pan, Y. Zhang, Y. Du, H. X. Han and R. H. Wu: LEOS'98 IEEE 2 (1998) 242.
21. C. H. Ashby, J. P. Sullivan, P. P. Newcomer, N. A. Missert, H. Q. Hou, B. E. Hammons, M. J. Hafich and A. G. Baca: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2443.
22. G. P. Schwartz, G. J. Gualtieri, J. E. Griffiths, C. D. Thurmond and B. Schwartz: J. Electrochem. Soc. 127 (1980) 2488.
23. C. H. Ashby, J. P. Sullivan, K. D. Choquette, K. M. Geib and H. Q. Hou: J. Appl. Phys. 82 (1997) 3134.
24. C. H. Ashby, M. M. Bridges, A. A. Allerman, B. E. Hammons and H. Q. Hou: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 73.
25. J. Y. Wu, H. H. Wang, Y. H. Wang and M. P. Houng: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 18.
26. L. M. Terman: Solid State Electron 5 (1962) 285.