Effects of the V/III flux ratio on the Curie temperature of GaMnAs

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue 2, 2004, Pages 465-469

  Koh, Dongwan ^a   Chung, Kwan Soo ^a   Park, J B ^b   Kim, K M ^b   Park, Y J ^b   Han, I K ^b   Lee, J I ^b   Kim, Y M ^c   Park, I W ^c  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^c Korea University   (South Korea)

Author keywords

GaMnAs; Mn concentration; V III flux ratio

Indexed keywords

EID: 4544294236     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (23)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
2. B. S. Sørensen, P. E. Lindelof, J. Sadowski, R. Mathieu and P. Svedlindh, Appl. Phys. Lett. 82, 2287 (2003).
3. T. Ditel, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cilbert and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
4. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
5. H. Munetaka, H. Ohno, S. von Molnár, L. L. Chang and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1894 (1989).
6. H. Ohno, H. Munetaka, T. Penney, S. von Molnár and L. L. Chang, Phys. Rev. Lett. 68, 2664 (1992).
7. T. Dietl, H. Ohno and F. Matsukura, Phys. Rev. B 63, 19205 (2001).
8. F. C. Zhang and T. M. Rice, Phys. Rev. B 37, 3759 (1988).
9. J. Kreissl, W. Ulrici, M. von Ortenberg, M. Elmetoui, A. M. Vasson, A. Vasson and A. Gavaix, Phys. Rev. B 54, 10508 (1996).
10. K. C. Ku, S. J. Potashnik, R. F. Chun, P. Schiffer and N. Samarth, Appl. Phys. Lett. 82, 2302 (2003).
11. D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 82, 3020 (2003).
12. T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth 175/176, 1063 (1997).
13. Y. H. Chang and C. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 39, 324 (2001).
14. Y. Park and Y.-J. Shin, J. Korean Phys. Soc. 37, 266 (2000).
15. D. T. J. Hurle, J. Appl. Phys. 85, 6957 (1999).
16. R. P. Campion, K. W. Edmonds, L. X. Zhao, K. Y. Wang, C. T. Foxon, B. L. Gallagher and C. R. Staddon, J. Crystal Growth 251, 311 (2003).
17. R. P. Campion, K. M. Edmonds, L. X. Zhao, K. Y. Wang, C. T. Foxton, B. L. Gallagher and C. R. Staddon, J. Crystal Growth 247, 42 (2003).
18. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
19. C. Zener, Phys. Rev. 81, 440 (1950).
20. I. T. Yoon, T. W. Kang, K. H. Kim and D. J. Kim, Solid State Comm. 130, 627 (2004).
21. R. J. Weiss and A. S. Marotta, J. Phys. Chem. Solids 9, 302 (1959).
22. S. von Molnar and T. Kasuya, Phys. Rev. Lett. 21, 1757 (1968).
23. K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev and N. A. Yakusheva, Semiconductors 32, 43 (1998).