Effects of bismuth on wide-depletion-width GaInNAs solar cells

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 26, Issue 3, 2008, Pages 1053-1057

  Ptak, A J ^a   France, R ^a   Jiang, C S ^a   Reedy, R C ^a  

^a NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DONOR CONCENTRATION; MULTIJUNCTION SOLAR CELLS; PARAMETER SPACES; STRUCTURE GROWTH;

MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOCURRENTS; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SURFACE ACTIVE AGENTS; SURFACE MORPHOLOGY;

SOLAR CELLS;

EID: 44649201422     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2837848     Document Type: Article

References (23)

1. S. R. Kurtz, D. Myers, and J. M. Olson, Projected Performance of Three- and Four-Junction Devices using GaAs and GaInP (IEEE, New York, 1997), pp. 875-878.
2. J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, and B. M. Keyes, J. Cryst. Growth 195, 401 (1998).
3. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, C. H. Seager, R. M. Sieg, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 77, 400 (2000).
4. A. J. Ptak, D. J. Friedman, S. Kurtz, and J. Kiehl, Enhanced-Depletion- Width GaInNAs Solar Cells Grown by Molecular-Beam Epitaxy (IEEE, Orlando, Florida, 2005), pp. 603-606.
5. A. J. Ptak, D. J. Friedman, S. Kurtz, and R. C. Reedy, J. Appl. Phys. 98, 094501 (2005).
6. A. J. Ptak, D. J. Friedman, and S. Kurtz, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 955 (2007).
7. X. Yang, J. B. Heroux, L. F. Mei, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4068 (2001).
8. M. R. Pillai, S. S. Kim, S. T. Ho, and S. A. Barnett, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1232 (2000).
9. K. R. Evans, R. Kaspi, J. E. Ehret, M. Skowronski, and C. R. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1820 (1995).
10. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
11. S. R. Bank, M. A. Wistey, H. B. Yuen, L. L. Goddard, H. Bae, and J. S. Harris, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1337 (2005).
12. J. A. Gupta, G. I. Sproule, X. Wu, and Z. R. Wasilewski, J. Cryst. Growth 291, 86 (2006).
13. D. B. Jackrel, S. R. Bank, H. B. Yuen, M. A. Wistey, J. S. Harris, A. J. Ptak, S. W. Johnston, D. J. Friedman, and S. Kurtz, J. Appl. Phys. 101, 114916 (2007).
14. S. Tixier, M. Adamcyk, E. C. Young, J. H. Schmid, and T. Tiedje, J. Cryst. Growth 251, 449 (2003).
15. T. Liu, S. Chandril, A. J. Ptak, D. Korakakis, and T. H. Myers, J. Cryst. Growth 304, 402 (2007).
16. A. Kikukawa, S. Hosaka, and R. Imura, Appl. Phys. Lett. 66, 3510 (1995).
17. E. C. Young, S. Tixier, and T. Tiedje, J. Cryst. Growth 279, 316 (2005).
18. W. E. McMahon, I. G. Batyrev, T. Hannappel, J. M. Olson, and S. B. Zhang, Phys. Rev. B 74, 033304 (2006).
19. A. J. Ptak, S. Kurtz, M. Young, and C. Kramer, Progress in Compound Semiconductor Materials III-Electronic and Optoelectronic Applications in Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 799, 1.3.1 (2004).
20. C. S. Jiang, H. R. Moutinho, D. J. Friedman, J. F. Geisz, and M. M. AlJassim, J. Appl. Phys. 93, 10035 (2003).
21. C. S. Jiang, D. J. Friedman, J. F. Geisz, H. R. Moutinho, M. J. Romero, and M. M. Al-Jassim, Appl. Phys. Lett. 83, 1572 (2003).
22. S. W. Johnston (private communication).
23. F. A. Trumbore, M. Gershenzon, and D. G. Thomas, Appl. Phys. Lett. 9, 4 (1966).