Anion detection using ultrathin InN ion selective field effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 21, 2008, Pages

  Lu, Yen Sheng ^a   Ho, Chien Lin ^a   Yeh, J Andrew ^a   Lin, Hon Way ^a   Gwo, Shangjr ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EFFECT TRANSISTORS; RESPONSE TIME (COMPUTER SYSTEMS); SOLUTIONS;

HELMHOLTZ VOLTAGES; ION SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTORS (ISFETS);

NEGATIVE IONS;

EID: 44449160041     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2936838     Document Type: Article

References (20)

1. P. Bergveld, IEEE Trans. Biomed. Eng. 17, 70 (1970).
2. T. Matsuo, M. Esashi, and H. Abe, IEEE Trans. Electron Devices ED-26, 1856 (1979).
3. P. Gimmel, K. D. Schierbaum, W. Gopel, H. H. Van den Vlekkert, and N. F. de Rooy, Sens. Actuators B 1, 345 (1990).
4. R. Neuberger, G. Müller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 85 (2001).
5. G. Steinhoff, M. Hermann, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 177 (2003).
6. Y. Alifragis, A. Georgakilas, G. Konstantinidis, E. Iliopoulos, A. Kostopoulos, and N. A. Chaniotakis, Appl. Phys. Lett. 87, 253507 (2005).
7. R. Mehandru, B. Luo, B. S. Kang, J. Kim, F. Ren, S. J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, and J.-I. Chyi, Solid-State Electron. 48, 351 (2004).
8. B. S. Kang, F. Ren, M. C. Kang, C. Lofton, W. Tan, S. J. Pearton, A. Dabiran, A. Osinsky, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 86, 173502 (2005).
9. H. T. Wang, B. S. Kang, T. F. Chancellor, Jr., T. P. Lele, Y. Tseng, F. Ren, S. J. Pearton, W. J. Johnson, P. Rajagopal, J. C. Roberts, E. L. Piner, and K. J. Linthicum, Appl. Phys. Lett. 91, 042114 (2007).
10. B. S. Kang, H. T. Wang, T. P. Lele, Y. Tseng, F. Ren, S. J. Pearton, J. W. Johnson, P. Rajagopal, J. C. Roberts, E. L. Piner, and K. J. Linthicum, Appl. Phys. Lett. 91, 112106 (2007).
11. C.-F. Chen, C.-L. Wu, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 89, 252109 (2006).
12. Y. S. Lu, C. C. Huang, J. A. Yeh, C.-F. Chen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 91, 202109 (2007).
13. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 82, 1736 (2003).
14. I. Mahboob, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 92, 036804 (2004).
15. I. Mahboob, T. D. Veal, L. F. J. Piper, C. F. McConville, H. Lu, W. J. Schaff, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 69, 201307 (2004).
16. Y.-S. Lin, S.-H. Koa, C.-Y. Chan, S. S. H. Hsu, H.-M. Lee, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 90, 142111 (2007).
17. S. Gwo, C.-L. Wu, C.-H. Shen, W.-H. Chang, T. M. Hsu, J.-S. Wang, and J.-T. Hsu, Appl. Phys. Lett. 84, 3765 (2004).
18. Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
19. X. Z. Dang, P. M. Asbeck, E. T. Yu, G. J. Sullivan, M. Y. Chen, B. T. McDermott, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 3890 (1999).
20. C.-L. Wu, C.-H. Shen, H.-W. Lin, H.-M. Lee, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 87, 241916 (2005).