Electrical and photoelectrical characterization of undoped and S-doped nanocrystalline diamond films

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 8, 2008, Pages

  Kulkarni, P ^a   Porter, L M ^a   Koeck, F A M ^b   Tang, Y J ^b   Nemanich, R J ^b  

^a CARNEGIE MELLON UNIVERSITY   (United States)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; NANOCRYSTALLINE MATERIALS; PHOTOELECTRICITY; SULFUR;

NANOCRYSTALLINE DIAMOND (NCD); OPTICAL WINDOWS;

DIAMOND FILMS;

EID: 43049128183     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2908884     Document Type: Article

References (42)

1. R. J. J. Rioboo and M. Belmahi, J. Appl. Phys. 97, 073509 (2005).
2. H. J. Looi, L. Y. S. Pang, Y. Wang, M. D. Whitfield, and R. B. Jackman, Diamond Relat. Mater. 7, 565 (1998).
3. T. Sharda, M. M. Rahaman, Y. Nukaya, T. Soga, T. Jimbo, and M. Umeno, Diamond Relat. Mater. 10, 561 (2001).
4. W. Yang, O. Auciello, J. E. Butler, W. Cai, J. A. Carlisle, J. Gerbi, D. M. Gruen, T. Knickerbocker, T. L. Lasseter, J. N. Russell, L. M. Smith, and R. J. Hamers, Nat. Mater. 2, 63 (2003).
5. A. R. Krauss, O. Auciello, D. M. Gruen, A. Jayatissa, A. Sumant, J. Tucek, D. C. Mancini, N. Moldovan, A. Erdemir, D. Ersoy, M. N. Gardos, H. G. Busmann, E. M. Mayer, and M. Q. Ding, Diamond Relat. Mater. 10, 1952 (2001).
6. H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki, and H. Kawarada, IEEE Electron Device Lett. 22, 390 (2001).
7. J. E. Yater, A. Shih, J. E. Butler, and P. E. Pehrsson, J. Appl. Phys. 96, 446 (2004).
8. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. Van Vechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B 20, 624 (1979).
9. J. van der Weide, Z. Zhang, P. K. Baumann, M. G. Wensell, J. Bernholc, and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 50, 5803 (1994).
10. M. Nesladek, Semicond. Sci. Technol. 20, R19 (2005).
11. P. Achatz, J. A. Garrido, M. Stutzmann, O. A. Williams, D. M. Gruen, A. Kromka, and D. Steinmuller, Appl. Phys. Lett. 88, 101908 (2003).
12. R. Kalish, Carbon 37, 781 (1999).
13. S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozaki, and T. Inuzuka, Appl. Phys. Lett. 71, 1065 (1997).
14. D. Saada, J. Adler, and R. Kalish, Appl. Phys. Lett. 77, 878 (2000) and references therein.
15. M. Kubo, A. Miyamoto, M. N. Gamo, and T. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2830 (2001).
16. Y. Cai, T. Zhang, A. B. Anderson, J. C. Angus, L. N. Kostadinov, and T. V. Albu, Diamond Relat. Mater. 15, 1868 (2006).
17. I. Sakaguchi, M. N. Gamo, Y. Kikuchi, E. Yasu, H. Haneda, T. Suzuki, and T. Ando, Phys. Rev. B 60, R2139 (1999).
18. M. N. Gamo, C. Xiao, Y. Zhang, E. Yasu, Y. Kikuchi, I. Sakaguchi, T. Suzuki, Y. Sato, and T. Ando, Thin Solid Films 382, 113 (2001).
19. S. Gupta, B. R. Weiner, and G. Morell, J. Appl. Phys. 97, 094307 (2005).
20. S. Gupta, A. Martinez, B. R. Weiner, and G. Morell, Appl. Phys. Lett. 80, 1471 (2002).
21. S. Bhattacharyya, K. Walzer, H. Hietschold, and F. Richter, J. Appl. Phys. 89, 1619 (2001).
22. C. Brosseau, F. Boulic, P. Queffelec, C. Bourbigot, Y. Le Mest, J. Loaec, and A. Beroual, J. Appl. Phys. 81, 882 (1997) and references therein.
23. P. Achatz, J. A. Garrido, M. Stutzmann, O. A. Williams, D. M. Gruen, A. Kromka, and D. Steinmuller, Appl. Phys. Lett. 88, 101908 (2006).
24. J. Robertson and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 35, 2946 (1987).
25. G. Fanchini, S. C. Ray, and A. Tagaliaferro, Diamond Relat. Mater. 12, 891 (2003).
26. J. van der Weide, Ph.D. thesis, North Carolina State University, 1994.
27. D. K. Schroeder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1998).
28. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Device Lett. 3, 111 (1982).
29. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
30. B. Jacobs, M. C. J. C. M. Kramer, E. J. Geluk, and F. Karouta, J. Cryst. Growth 214, 15 (2002).
31. M. C. J. C. M. Kramer, M.Sc. thesis, Technical University of Eindhoven, 2000.
32. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal Semiconductor Contacts, 2nd ed. (Oxford University Press, Oxford, 1988), p. 12.
33. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley-Interscience, New York, 1999), pp. 262, 304.
34. I. Gonzalez-Gonzalez, J. De Jesus, D. A. Tryk, G. Morell, and C. R. Cabrera, Diamond Relat. Mater. 15, 221 (2006).
35. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1971), pp. 37, 198.
36. G. Morell, A. Gonzalez-Berrios, B. R. Weiner, and S. Gupta, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 17, 443 (2006).
37. S. Gupta, G. Morell, and B. R. Weiner, J. Appl. Phys. 95, 8314 (2004).
38. R. J. Nemanich, P. K. Baumann, M. C. Benjamin, J. Van der Weide, S. W. King, and R. F. Davis, Diamond Relat. Mater. 5, 790 (1996).
39. H. Ihara, Y. Kumashiro, A. Itoh, and K. Maeda, Jpn. J. Appl. Phys. 12, 1462 (1973).
40. R. Kaufmann, H. Klewe-Nebenius, H. Moers, G. Pfennig, H. Jennet, and H. J. Ache, Surf. Interface Anal. 11, 502 (1988).
41. F. A. M. Koeck, J. M. Garguilo, R. J. Nemanich, S. Gupta, B. R. Weiner, and G. Morell, Diamond Relat. Mater. 12, 474 (2003).
42. T. Zimmermann, M. Kubovic, A. Denisenko, K. Janischowsky, O. A. Williams, D. M. Gruen, and E. Kohn, Diamond Relat. Mater. 14, 416 (2005).