Surface morphology of Al 0.3Ga 0.7N/Al 2O 3-high electron mobility transistor structure

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 8, Issue 2, 2008, Pages 640-644

  Corekci S ^a   Usanmaz, D ^a   Tekeli, Z ^a   Cakmak M ^a   Ozcelik S ^a   Ozbay E ^b  

^a GAZI UNIVERSITY   (Turkey)

^b BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

AlGaN GaN high electron mobility transistor; AlN interlayer; Atomic force microscopy; Metal organic chemical vapor deposition

Indexed keywords

BUFFER FILMS; DENSITY OF DISLOCATIONS;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; BUFFER LAYERS; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SURFACE MORPHOLOGY;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 42549086775     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2008.A181     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. L. Liu and J. H. Edgar, Mater. Sci. Eng. R 37, 61 (2002).
2. M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, A.-I. Asai, T. Shibita, M. Tanaka, and O. Oda, J. Appl. Phys. 98, 063713 (2005).
3. Y. B. Pan, Z. Y. Yang, Z. T. Chen, Y. Lu, T. j. Yu, X. D. Hu, K. Xu, and G. Y. Zhang, J. Cryst. Growth 286, 255 (2006).
4. N. G. Weimann and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
5. A. Jimenez, Z. Bougrioua, J. M. Tirado, A. F. Brana, E. Calleja, E. Munoz, and I. Moerman, Appl. Phys. Lett. 82, 26 (2003).
6. J. Bai, T. Wang, P. J. Parbrook, K. B. Lee, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth (2005).
7. J. Bai, T. Wang. P. Comming, P. J. Parbrook, J. P. R. David, and A. G. Cullis, J. Appl. Phys. 99, 023513 (2006).
8. D. F. Storm, D. S. Katzer, S. C. Binari, E. R. Glaser, B. V. Shanabrook, and J. A. Roussos, Appl. Phys. Lett. 81, 3819 (2002).
9. H. Morkoç, J. Mater. Sci.- Mater. Electron. 12, 677 (2001).
10. I. Akaseke, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatasu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989).
11. M. Miyoshi, A. Imanishi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibita, M. Tanaka, and O. Oda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 44, 6490 (2005).
12. H. B. Yu, M. K. Ozturk, S. Ozcelik, and E. Ozbay, J. Cryst. Growth 293, 273 (2006).
13. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N.-Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorckhova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
14. T. Ito, K. Kuwahara, M. Sumiya, Y. Takano, and S. Fuke, J. Cryst. Growth 205, 20 (1999).
15. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 77, 192 (1995).
16. G. B. Stephenson, J. A. Eastman, C. Thompson, O. Auciello, L. J. Thompson, A. Munkholm, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3326 (1999).
17. J. Bai, M. Dudley, W. H. Sun, H. M. Wang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 88, 051903 (2006).
18. F. C. Frank, Discuss. Faraday Soc. 5, 67 (1949).
19. A. Torabi, P. Ericson, E. J. Yarranton, and W. E. Hooke, J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002).