Spectroscopic analysis on metal-oxide-semiconductor light-emitting diodes with buried Si nanocrystals and nano-pyramids in SiO x film

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 8, Issue 3, 2008, Pages 1092-1100

  Lin, Gong Ru ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Defect; Electroluminescence; Metal oxide semiconductor; Nanocrystallite Si; PECVD; Photoluminescence; Si Rich SiO x; White light

Indexed keywords

DEPOSITION TEMPERATURE; INDUCED COUPLED PLASMA; SUBSTRATE TEMPERATURE; WHITE-LIGHT ELECTROLUMINESCENCE;

MOS DEVICES; NANOCRYSTALS; SILICA; SILICON; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; THIN FILMS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 42449107476     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2008.307     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
2. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
3. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott. J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
4. G. G. Qin, A. P. Li, B. R. Zhang, and Bing-Chen Li, J. Appl. Phys. 78, 2006 (1995).
5. A. Perez-Rodrìguez, O. González-Varona, B. Garrido, P. Pellegrino, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 94, 254 (2003).
6. D. Pacifici, E. C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, and F. Priolo, Phys. Rev. B 5, 144109 (2002).
7. Q. Ye, R. Tsu, and E. H. Nicollian, Phys. Rev. B 44, 1806 (1991).
8. H. Z. Song, X. M. Bao, N. S. Li, and J. Y. Zhang, J. Appl. Phys. 82, 4028 (1997).
9. C. H. Lin, S. C. Lee, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 63, 902 (1993).
10. A. Irrera, D. Pacifici, M. Miritello, G. Franzò, F. Priolo, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, and P. G. Fallica, Appl. Phys. Lett. 81, 1866 (2002).
11. G.-R. Lin and C. J. Lin, J. Appl. Phys. 95, 8482 (2004).
12. G.-R. Lin, C. J. Lin, and K. C. Yu, J. Appl. Phys. 96, 3025 (2004).
13. R. Huang, K. J. Chen, P. G. Han, H. P. Dong, X. Wang, D. Y. Chen, W. Li, J. Xu, Z. Y. Ma, and X. F. Huang, Appl. Phys. Lett. 90, 093515 (2007).
14. M. Perálvarez, C. García, M. López, B. Garrido, J. Barreto, C. Domínguez, and J. A. Rodríguez, Appl Phys. Lett. 89, 051112 (2006).
15. C. J. Lin and G.-R. Lin. IEEE J. Quantum Electronics 41, 441 (2005).
16. G.-R. Lin, C. J. Lin. C. K. Lin, L. J. Chou, and Y. L. Chueh, J. Appl. Phys. 97, 094306 (2005).
17. G. Franzo, A. Irrera, E. C. Moreira, M. Miruello, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P. G. Fallica, and F. Priolo, Appl. Phys. A 74, 1 (2002).
18. J. Valenta, N. Lalic, and J. Linnros. Opt. Mater. 17, 45 (2001).
19. J. Valenta, R. Juhasz, and J. Linnros, Appl. Phys. Lett. 80, 1070 (2002).
20. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature 408, 440 (2000).
21. K. Chen, Z. Ma, X. Huang, J. Xu, W. Li, Y. Sui, J. Mei, and D. Zhu, J. Non-Cryst. Solids 338, 448 (2004).
22. G. F. Bai, Y. Q. Wang, Z. C. Ma, W. H. Zong, and G. G. Qin, J. Phys.: Condens. Matter 10, L717 (1998).
23. J. Yuan and D. Haneman, J. Appl. Phys. 86, 2358 (1999).
24. L. Heikkila, T. Kuusela, and H. P. Hedman, J. Appl. Phys. 89, 2179 (2001).
25. D. J. DiMaria, J. R. Kirtley, E. J. Pakulis, D. W. Dong, S. T. Kuan, F. L. Pesavento, T. N. Theis, J. A. Cutro, and S. D. Brorson. J. Appl. Phys. 56, 401 (1984).
26. F. Iacona, G. Franzo, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
27. H. Nishikawa, E. Watanabe, D. Ito, M. Takiyama, A. Leki, and Y. Ohki, J. Appl. Phys. 78, 842 (1995).
28. X. Zhao, O. Schoenfeld, J. Kusano, Y. Aoyagi, and T. Sugano, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L899 (1994).
29. R. Tohmon, Y. Shimogaichi, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Nagasawa, and Y. Hama, Phys. Rev. Lett. 62, 1388 (1989).
30. J. W. McPherson and H. C. Mogul, J. Appl. Phys. 84, 1513 (2001).
31. K. S. Zhuravlev and A. Y. Kobitsky, Semiconductors 34, 1203 (2000).
32. G.-R. Lin, C. J. Lin, and C. K. Lin, Optics Express 15, 2555 (2007).
33. G.-R. Lin, C.-K. Lin, L.-J. Chou, and Y.-L. Chueh, Appl. Phys. Lett. 89, 093126 (2006).