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Volumn 100, Issue 12, 2008, Pages

Band-structure engineering of gold atomic wires on silicon by controlled doping

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ANGLE MEASUREMENT; DOPING (ADDITIVES); ENERGY GAP; PHOTOEMISSION; SILICON; TUNING;

EID: 41549085545     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.126801     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.