High-performance, low-operating-voltage organic field-effect transistors with low pinch-off voltages

Advanced Functional Materials

Volumn 18, Issue 5, 2008, Pages 810-815

  Wu, Weiping ^a,b   Liu, Yunqi ^a   Wang, Ying ^a,b   Xi, Hongxia ^a,b   Gao, Xike ^a,b   Di, Chongan ^a,b   Yu, Gui ^a   Xu, Wei ^a   Zhu, Daoben ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BUFFER LAYERS; ELECTRIC RESISTANCE; GRAIN BOUNDARIES; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; VOLTAGE MEASUREMENT;

ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS; POLYCRYSTALLINE FILMS; SUBTHERSHOLD SLOPES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 41149180714     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200701125     Document Type: Article

References (35)

1. S. R. Forrest, Nature 2004, 428, 911.
2. V. Coropceanu, J. Cornil, D. A. da Silva, Y. Olivier, R. Silbey, J. L. Bredas, Chem. Rev. 2007, 107, 926.
3. A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, M. M. Ling, S. H. Liu, R. J. Tseng, C. Reese, M. E. Roberts, Y. Yang, F. Wudl, Z. N. Bao, Nature 2006, 444, 913.
4. S. W. Park, J. M. Hwang, J. M. Choi, D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Kim, S. Im, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 153 512.
5. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, D. A. Neumayer, P. R. Duncombe, R. B. Laibowitz, J. M. Shaw, presented at 57th Annu. Dev. Res. Conf. Dig., 1999, Santa Barbara, CA, June 1999.
6. H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum, M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
7. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M. Schutz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauer, F. Stellacci, Nature 2004, 431, 963.
8. Y. M. Sun, Y. Q. Liu, Y. Q. Ma, C. A. Di, Y. Wang, W. P. Wu, G. Yu, W. P. Hu, D. B. Zhu, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 242 113.
9. L. A. Majewski, R. Schroeder, M. Grell, Adv. Mater. 2005, 17, 192.
10. L. A. Majewski, R. Schroeder, M. Grell, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1017.
11. K. T. Kang, M. H. Lim, H. G. Kim, Y. W. Choi, H. L. Tuller, I. D. Kim, J. M. Hong, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 242 908.
12. A. Facchetti, M. H. Yoon, T. J. Marks, Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
13. A. Lodha, R. Singh, IEEE Trans. Semicond. Manuf. 2001, 14, 281.
14. H. Klauk, D. J. Gundlach, J. A. Nichols, T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron. Dev. 1999, 46, 1258.
15. I. P. M. Bouchoms, W. A. Schoonveld, J. Vrijmoeth, T. M. Klapwijk, Synth. Met. 1999, 104, 175.
16. C. C. Mattheus, A. B. Dros, J. Baas, G. T. Oostergetel, A. Meetsma, J. L. de Boer, T. T. M. Palstra, Synth. Met. 2003, 138, 475.
17. C. D. Dimitrakopoulos, A. R. Brown, A. Pomp, J. Appl. Phys. 1996, 80, 2501.
18. H. Yang, M. M. Ling, L. Yang, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12 508.
19. R. H. Fowler, L. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928, 119, 173.
20. C. Vanoni, S. Tsujino, T. A. Jung, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 193 119.
21. K. Shibata, H. Wada, K. Ishikawa, H. Takezoe, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 193 509.
22. G. Horowitz, R. Hajlaoui, H. Bouchriha, R. Bourguiga, M. Hajlaoui, Adv. Mater. 1998, 10, 923.
23. G. W. Kang, K. M. Park, J. H. Song, C. H. Lee, D. H. Hwang, Curr. Appl. Phys. 2005, 5, 297.
24. M. Scharnberg, V. Zaporojtchenko, R. Adelung, F. Faupel, C. Pannemann, T. Diekmann, U. Hilleringmann, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 013 501.
25. Y. Abe, T. Hasegawa, Y. Takahashi, T. Yamada, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 153 506.
26. J. Wang, H. Wang, X. Yan, H. Huang, D. Yan, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 093 507.
27. D. Schlettwein, K. Hesse, N. E. Gruhn, P. A. Lee, K. W. Nebesny, N. R. Armstrong, J. Phys. Chem. B 2001, 105, 4791.
28. S. Erdin, M. van Veenendaal, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 247 202.
29. B. B. Kaul, M. A. Taylor, M. J. Whitton, G. T. Yee, Synth. Met. 2001, 122, 471.
30. A. Saeki, S. Seki, Y. Koizumi, T. Sunagawa, K. Ushida, S. Tagawa, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 10 015.
31. S. S. Ahmed, D. M. Kim, H. Shichijo, IEEE Electron Device Lett. 1985, 6, 313.
32. O. Tal, Y. Rosenwaks, Y. Roichman, Y. Preezant, N. Tessler, C. K. Chan, A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043 509.
33. H. Nishimura, M. Iizuka, M. Sakai, M. Nakamura, K. Kudo, Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 621.
34. K. P. Pernstich, S. Haas, D. Oberhoff, C. Goldmann, D. J. Gundlach, B. Batlogg, A. N. Rashid, G. Schitter, J. Appl. Phys. 2004, 96, 6431.
35. M. Mas-Torrent, P. Hadley, S. T. Bromley, N. Crivillers, J. Veciana, C. Rovira, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 012 110.