Strong excitonic transition of Zn1-x Mgx O alloy

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 26, 2007, Pages

  Tampo, H ^a   Shibata, H ^a   Maejima, K ^a   Yamada, A ^a   Matsubara, K ^a   Fons, P ^a   Niki, S ^a   Tainaka, T ^b   Chiba, Y ^b   Kanie, H ^b  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^b TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EXCITONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL TRANSITIONS; PHOTOLUMINESCENCE; SPECTRUM ANALYSIS;

EXCITONIC TRANSITION; OPTICAL REFLECTIVITY; ROOM TEMPERATURE;

ZINC ALLOYS;

EID: 37549033100     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2828031     Document Type: Article

References (26)

1. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5735 (1999).
2. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 78, 3927 (2001).
3. M. A. Khan, Phys. Status Solidi A 203, 1764 (2006).
4. H. Shibata, H. Tampo, K. Matsubara, A. Yamada, K. Sakurai, S. Ishizuka, S. Niki, and M. Sakai, Appl. Phys. Lett. 90, 124104 (2007).
5. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, M. Ozaki, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1372 (2004).
6. H. Tampo, H. Shibata, K. Matsubara, A. Yamada, P. Fons, S. Niki, M. Yamagata, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 89, 132113 (2006).
7. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, and M. Kawasaki, Science 315, 1388 (2007).
8. K. Koike, I. Nakashima, K. Hashimoto, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Appl. Phys. Lett. 87, 112106 (2005).
9. S. Sasa, M. Ozaki, K. Koike, M. Yano, and M. Inoue, Appl. Phys. Lett. 89, 053502 (2006).
10. J. D. Albrecht, P. P. Ruden, S. Limpijumnong, W. R. L. Lambrecht, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 86, 6864 (1999).
11. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
12. A. Ohtomo, M. Kawasaki, I. Ohkubo, H. Koinuma, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 75, 980 (1999).
13. H. Tampo, K. Matsubara, A. Yamada, H. Shibata, P. Fons, M. Yamagata, H. Kanie, and S. Niki, J. Cryst. Growth 301/302, 358 (2007).
14. H. Tampo, P. Fons, A. Yamada, K. K. Kim, H. Shibata, K. Matsubara, S. Niki, H. Yoshikawa, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 87, 141904 (2005).
15. C. W. Teng, J. F. Muth, U. Ozgur, M. J. Bergmann, H. O. Everitt, A. K. Sharma, C. Jin, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 76, 979 (2000).
16. T. Takagi, H. Tanaka, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L401 (2003).
17. W. I. Park, Y. Gyu-Chul, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 79, 2022 (2001).
18. A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R. M. Kolbas, and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 75, 3327 (1999).
19. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
20. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
21. R. J. Elliott, Phys. Rev. 108, 1384 (1957).
22. S. Adachi, Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, Chichester, 2005), Chap..
23. H. Jiang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 89, 1046 (2001).
24. D. G. Thomas, J. Phys. Chem. Solids 15, 86 (1960).
25. R. Peter, S. Tanaka, S. Nomura, P. Riblet, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 73, 1104 (1998).
26. R. T. Senger and K. K. Bajaj, Phys. Rev. B 68, 045313 (2003).