Threading dislocation behavior in AlN nucleation layers for GaN growth on 4H-SiC

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 1, 2007, Pages

  Picard, Y N ^a   Twigg, M E ^a   Mastro, M A ^a   Eddy, C R ^a   Henry, R L ^a   Holm, R T ^a   Neudeck, P G ^b   Trunek, A J ^c   Powell, J A ^d  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b NASA GLENN RESEARCH CENTER   (United States)

^c OHIO AEROSPACE INSTITUTE   (United States)

^d Sest Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN FILMS; DISLOCATION BENDING; NUCLEATION LAYERS (NL); THREADING DISLOCATION;

FILM GROWTH; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NUCLEATION; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 36148957894     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2754638     Document Type: Article

References (22)

1. P. Gibart, Rep. Prog. Phys. 67, 667 (2004).
2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
3. J. D. Caldwell, M. A. Mastro, K. D. Hobart, O. J. Glembocki, C. R. Eddy, Jr., N. D. Bassim, R. T. Holm, R. L. Henry, P. G. Neudeck, A. J. Trunek, and J. A. Powell, Appl. Phys. Lett. 88, 263509 (2006).
4. X. H. Wu, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 1371 (1996).
5. M. E. Twigg, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, and S. C. Binari, Appl. Phys. Lett. 79, 4322 (2001).
6. P. Fini, X. Wu, E. J. Tarsa, Y. Golan, V. Srikant, S. Keller, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4460 (1998).
7. A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, R. J. Gorman, M. E. Twigg, M. Fatemi, J. A. Freitas, and W. J. Moore, J. Electron. Mater. 29, 21 (2000).
8. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchland, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 75, 1706 (1999).
9. N. D. Bassim, M. E. Twigg, C. R. Eddy, Jr., J. C. Culbertson, M. A. Mastro, R. L. Henry, R. T. Holm, P. G. Neudeck, A. J. Trunek, and J. A. Powell, Appl. Phys. Lett. 86, 021902 (2005).
10. S. Tanaka, R. S. Kern, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 66, 37 (1995).
11. J. A. Powell, P. G. Neudeck, A. J. Trunek, G. M. Beheim, L. G. Matus, R. W. Hoffman, and L. J. Keys, Appl. Phys. Lett. 77, 1449 (2000).
12. P. G. Neudeck, A. J. Trunek, D. J. Spry, J. A. Powell, H. Du, M. Skowronski, X. R. Huang, and M. Dudley, Chem. Vap. Deposition 12, 531 (2006).
13. N. D. Bassim, M. E. Twigg, M. A. Mastro, C. R. Eddy, Jr., T. J. Zega, R. L. Henry, J. C. Culbertson, R. T. Holm, P. Neudeck, J. A. Powell, and A. J. Trunek, J. Cryst. Growth 304, 103 (2007).
14. D. D. Koleske, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Culbertson, S. C. Binari, A. E. Wickenden, and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 80, 4372 (2002).
15. X. Q. Shen, H. Okumura, and H. Matsuhata, Appl. Phys. Lett. 87, 101910 (2005).
16. A. Kakanakova-Georgieva, P. O. Å. Persson, R. Yakimova, L. Hultman, and E. Janzen, J. Cryst. Growth 273, 161 (2004).
17. B. Moran, F. Wu, A. E. Romanov, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 273, 38 (2004).
18. J. Bai, T. Wang, P. J. Parbrook, I. M. Ross, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth 289, 63 (2006).
19. F. C. Frank, Acta Crystallogr. 4, 497 (1951).
20. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
21. P. Cantu, F. Wu, P. Waltereit, S. Keller, A. E. Romanov, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 97, 103534 (2005).
22. M. E. Twigg, N. D. Bassim, M. A. Mastro, C. R. Eddy, Jr., R. L. Henry, J. C. Culbertson, R. T. Holm, P. Neudeck, J. A. Powell, and A. J. Trunek, J. Appl. Phys. 101, 053509 (2007).