The growth of interfacial passive layers under thermal passivation of integrated Pb (Zr,Ti) O3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 7, 2007, Pages

  Jiang, A Q ^a   Lin, Y Y ^a   Tang, T A ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEGRADATION; FERROELECTRIC DEVICES; LEAD COMPOUNDS; POLARIZATION; THERMAL EFFECTS; TIME AND MOTION STUDY;

THERMAL DURATION; THERMAL FIELD; TIME INTERVAL;

THIN FILMS;

EID: 35348904434     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2795572     Document Type: Article

References (20)

1. L. Goux, G. Russo, N. Menou, J. G. Lisoni, M. Schwitters, V. Paraschiv, D. Maes, C. Artoni, G. Corallo, L. Haspeslagh, D. J. Wouters, R. Zambrano, and C. Muller, IEEE Trans. Electron Devices 52, 447 (2005).
2. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. W. Tipton, R. Ramesh, H. D. Drew, T. Venkatesan, D. B. Romero, V. B. Podobedov, and A. Weber, Appl. Phys. Lett. 73, 1973 (1998).
3. H. Ishiwara and M. Okyama, Ferroelectric Random Access Memories (Springer-Verlag, Berlin, 2004), p. 165.
4. A. Q. Jiang, Y. Y. Lin, and T. A. Tang, J. Appl. Phys. 101, 056103 (2007).
5. Y. Park, J. K. Lee, I. Chung, and J.-Y. Lee, J. Appl. Phys. 89, 2327 (2001).
6. C.-L. Jia, V. Nagarajan, J.-Q. He, L. Houben, T. Zhao, R. Ramesh, K. Urban, and R. Waser, Nat. Mater. 6, 64 (2007).
7. A. M. Bratkovsky and A. P. Levanyuk, Phys. Rev. Lett. 84, 3177 (2000).
8. A. K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. 78, 2623 (1995).
9. A. Jiang, M. Dawber, J. F. Scott, C. Wang, P. Migliorato, and M. Gregg, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 6973 (2003).
10. S. P. Alpay, I. B. Misirlioglu, V. Nagarajan, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2044 (2004).
11. D. J. Kim, J. Y. Jo, Y. S. Kim, Y. J. Chang, J. S. Lee, J.-G. Yoon, T. K. Song, and T. W. Noh, Phys. Rev. Lett. 95, 237602 (2005).
12. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999).
13. J. F. Cillessen, M. W. J. Prins, and R. M. Wolf, J. Appl. Phys. 81, 2777 (1997).
14. C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 92, 432 (2002).
15. L. J. Sinnamon, R. M. Bowman, and J. M. Gregg, Appl. Phys. Lett. 78, 1724 (2001).
16. K. Natori, D. Otani, and N. Sano, Appl. Phys. Lett. 73, 632 (1998).
17. A. Q. Jiang, Y. Y. Lin, and T. A. Tang, J. Appl. Phys. 101, 104105 (2007).
18. A. Q. Jiang, C. Wang, B. L. Cheng, and Z. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 202904 (2005).
19. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Clarendon, Oxford, 2001), p. 113.
20. A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. 90, 1387 (2001).