Responsivity of ZnTen-GaAs heterostructures formed by infrared nanosecond laser deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 7, 2007, Pages

  Acharya, K P ^a   Ullrich, B ^a   Erlacher, A ^b  

^a BOWLING GREEN STATE UNIVERSITY   (United States)

^b UNIVERSITY OF GRAZ   (Austria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INFRARED RADIATION; LASER PULSES; PHOTOCURRENTS; PHOTODETECTORS; SENSITIVITY ANALYSIS;

HETEROPAIRING; INFRARED NANOSECOND LASER DEPOSITION; OPTICAL CHOPPING FREQUENCIES; ZNTEN-GAAS HETEROSTRUCTURES;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 35348900137     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2786890     Document Type: Article

References (31)

1. R. Dhere, T. Gessert, J. Jhou, J. Pankow, S. Asher, and H. Mautinho, Phys. Status Solidi B 241, 771 (2004).
2. A. Ueta and D. Hommel, Phys. Status Solidi C 1, 1010 (2004).
3. N. Amer, W. C. Hurlbut, B. J. Norton, Y.-S. Lee, and T. B. Norris, Appl. Phys. Lett. 87, 221111 (2005).
4. M. Walther, F. R. Mark, and F. Hegmann, Appl. Phys. Lett. 87, 261107 (2005).
5. M. A. Green, K. Emery, D. L. King, S. Igari, and W. Warta, Prog. Photovoltaics 13, 49 (2005).
6. Y. Yazawa, T. Minemura, and J. Asano, Appl. Phys. Lett. 58, 1292 (1991).
7. A. Erlacher and B. Ullrich, Semicond. Sci. Technol. 19, L9 (2004).
8. K. Mizoguchi, T. Furuichi, O. Kojima, M. Nakayama, S. Saito, A. Syouji, and K. Sakai, Appl. Phys. Lett. 87, 093102 (2005).
9. V. M. Botnaryuk, Yu. V. Zhilyaev, A. M. Ivanov, N. B. Strokan, and L. M. Fedorov, Tech. Phys. Lett. 24, 250 (1998).
10. D. K. Sengupta, W. Fang, J. I. Malin, J. Li, T. Horton, A. P. Curtis, K. C. Hsieh, S. L. Chaung, H. Chen, M. Feng, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 71, 78 (1997).
11. M. Mazzar, M. Longo, G. Leo, N. Lovergine, A. M. Manchini, A. V. Drigo, V. F. Romanato, C. Z. Fregonara, and G. Salviati, J. Cryst. Growth 170, 553 (1997).
12. R. C. Tu, Y. K. Su, Y. S. Huang, and F. R. Chien, J. Cryst. Growth 201/202, 506 (1999), and references therein.
13. Y. Rajakaunanayake, B. H. Cole, J. O. McCaldin, D. H. Chow, J. R. Söderström, T. C. McGill, and C. M. Jones, Appl. Phys. Lett. 55, 1217 (1989).
14. J. H. Lee, K. S. Jang, C. S. Shin, H. L. Park, and T. W. Kim, J. Appl. Phys. 75, 8216 (1994).
15. N. Lovergine, M. Longo, A. M. Manchi, G. Leo, M. Mazzer, M. Berti, and A. V. Drigo, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 9, 249 (1998).
16. V. Mizeikis, K. Jarasiunas, N. Lovergine, and P. Prete, J. Cryst. Growth 214/215, 234 (2000).
17. D. Shindo, Y.-G. Park, B. J. Kim, J. F. Wang, and M. Isshiki, J. Phys.: Condens. Matter 14, 13305 (2002).
18. C. M. Rouleau and D. H. Lowndes, Appl. Surf. Sci. 127-129, 418 (1998).
19. J. C. Miller and R. F. Haglund, Laser Ablation and Desorption (Academic, San Diego, 1998).
20. A. Erlacher, A. R. Lukaszew, H. Jaeger, and B. Ullrich, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 1623 (2006).
21. A. Erlacher, A. R. Lukaszew, H. Jaeger, and B. Ullrich, Surf. Sci. 600, 3762 (2006).
22. A. Erlacher, M. Ambrico, G. Perna, L. Schiavulli, T. Ligunzo, H. Jaeger, and B. Ullrich, Appl. Surf. Sci. 248, 402 (2005).
23. K. P. Acharya, A. Erlacher, and B. Ullrich, Thin Solid Films 515, 4066 (2007).
24. B. Ullrich, A. Erlacher, S. Yano, R. Schroeder, T. G. Gerasimov, and H. J. Haugan, Proc. SPIE 4977, 180 (2003).
25. M. S. Jang, S. H. Oh, K. H. Lee, J. H. Bahng, J. C. Choi, K. H. Jeong, H. L. Park, D. C. Choo, D. U. Lee, and T. W. Kim, J. Phys. Chem. Solids 64, 357 (2003).
26. G. Hoxter, Clin. Chem. 25, 143 (1979).
27. Y. Han and L. H. Spangler, J. Phys. Chem. A 106, 1701 (2002).
28. K. Bahram and J. M. Beach, U.S. Patent No. 2004-554456P (2005).
29. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors (Cambridge, New York, 2005), p. 511.
30. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 21.
31. B. Ullrich and A. Erlacher, J. Phys. D 38, 4048 (2005).