Room-temperature lasing at 1.82 μm of GaInSbAlGaSb quantum wells grown on GaAs substrates using an interfacial misfit array

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 14, 2007, Pages

  Tatebayashi, J ^a   Jallipalli, A ^a   Kutty, M N ^a   Huang, S H ^a   Balakrishnan, G ^a   Dawson, L R ^a   Huffaker, D L ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW MEXICO   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASING OPERATION; MONOLITHICALLY GROWN; TEMPERATURE COEFFICIENT;

BUFFER LAYERS; CRYSTAL GROWTH; CURRENT DENSITY; LATTICE MISMATCH; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 34948890650     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2793186     Document Type: Article

References (25)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
3. W. Ha, V. Gambin, S. Bank, M. Wistey, H. Yuen, S. Kim, and J. S. Harris, Jr., IEEE J. Quantum Electron. 38, 1260 (2002).
4. S. R. Bank, H. P. Bae, H. B. Yuen, M. A. Wistey, L. L. Goddard, and J. S. Harris, Jr., Electron. Lett. 42, 156 (2006).
5. M. Sopanen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 994 (2000).
6. J. Tatebayashi, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 78, 3469 (2001).
7. G. Motosugi and T. Kagawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 19, 2303 (1980).
8. Y. Ohmori, S. Tarucha, Y. Horikoshi, and H. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L94 (1984).
9. H. K. Choi, G. W. Turner, and S. J. Eglash, IEEE Photonics Technol. Lett. 6, 7 (1994).
10. G. Almuneau, F. Genty, A. Wilk, P. Grech, A. Joullí, and L. Chusseau, Semicond. Sci. Technol. 14, 89 (1999).
11. R. Werner, T. Bleuel, J. Hofmann, M. Brockhaus, and A. Forchel, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 966 (2000).
12. T. H. Chiu, W. T. Tsang, J. A. Ditzenberger, and J. P. van der Ziel, Appl. Phys. Lett. 49, 1051 (1986).
13. D. Z. Garbuzov, R. U. Martinelli, H. Lee, P. K. York, R. J. Menna, J. C. Connolly, and S. Y. Narayan, Appl. Phys. Lett. 69, 2006 (1996).
14. G. W. Turner, H. K. Choi, and M. J. Manfra, Appl. Phys. Lett. 72, 876 (1998).
15. C. Mermelstein, S. Simanowski, M. Mayer, R. Kiefer, J. Schmitz, M. Walther, and J. Wagner, Appl. Phys. Lett. 77, 1581 (2000).
16. J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 81, 3146 (2002).
17. M. Garcia, A. Salhi, A. Ṕrona, Y. Rouillard, C. Sirtori, X. Marcadet, and C. Alibert, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 1253 (2004).
18. M. Grau, C. Lin, O. Dier, C. Lauer, and M.-C. Amann, Appl. Phys. Lett. 87, 241104 (2005).
19. L. Shterengas, G. Belenky, M. V. Kisin, and D. Donetsky, Appl. Phys. Lett. 90, 011119 (2007).
20. Y.-C. Xin, L. G. Vaughn, L. R. Dawson, A. Stintz, Y. Lin, L. F. Lester, and D. L. Huffaker, J. Appl. Phys. 94, 2133 (2003).
21. S. H. Huang, G. Balakrishnan, A. Khoshakhlagh, A. Jallipalli, L. R. Dawson, and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 88, 131911 (2006).
22. A. Jallipalli, G. Balakrishnan, S. H. Huang, A. Khoshakhlagh, L. R. Dawson, and D. L. Huffaker, J. Cryst. Growth 303, 449 (2007).
23. G. Balakrishnan, A. Jallipalli, P. Rotella, S. H. Huang, A. Khoshakhlagh, A. Amtout, S. Krishna, L. R. Dawson, and D. L. Huffaker, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1636 (2006).
24. M. Mehta, G. Balakrishnan, S. H. Huang, A. Khoshakhlagh, A. Jallipalli, P. Patel, M. N. Kutty, L. R. Dawson, and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 89, 211110 (2006).
25. M. Mehta, G. Balakrishnan, A. Jallipalli, M. N. Kutty, L. R. Dawson, and D. L. Huffaker, Proceedings of the 65th Device Research Conference, 2007, p. 193