Structural and vibrational analysis of nanocrystalline Ga 1-xMnx N films deposited by reactive magnetron sputtering

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 6, 2007, Pages

  Da Silva, J H Dias ^a   Leite, D M G ^a   Tabata, A ^a   Cavalheiro, A A ^a  

^a SÃO PAULO STATE UNIVERSITY UNESP   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; GALLIUM COMPOUNDS; MAGNETRON SPUTTERING; NANOCRYSTALLINE MATERIALS; RIETVELD REFINEMENT; X RAY DIFFRACTION;

CRYSTALLIZED FRACTION; REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING; VIBRATIONAL ANALYSIS; VIBRATIONAL PROPERTIES;

THIN FILMS;

EID: 34948821190     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2783844     Document Type: Article

References (29)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
2. S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
3. S. Kuwabara, T. Kondo, T. Chikyow, R. Ahmet, and H. Munekata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L724 (2001).
4. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 79, 1312 (2001).
5. G. Thaler, R. Frazier, B. Gila, C. R. Albernathy, S. J. Pearton, and C. Segre, Appl. Phys. Lett. 84, 1314 (2004).
6. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth 37-239, 1358 (2002).
7. H. Harima, J. Phys.: Condens. Matter 14, R967 (2002).
8. W. Gebiki, J. Strzeszewski, G. Kamler, T. Szyszko, and S. Podsiadlo, Appl. Phys. Lett. 76, 3870 (2000).
9. M. Zajac, Appl. Phys. Lett. 78, 1276 (2001).
10. Y. Y. Yu, J. Cryst. Growth 269, 270 (2004).
11. L. L. Guo, H. Zhang, and W. Z. Shen, Appl. Phys. Lett. 89, 161920 (2006).
12. Y. H. Zhang, L. L. Guo, and W. Z. Shen, Mater. Sci. Eng., B 130, 269 (2006).
13. S. Granville, J. Appl. Phys. 100, 084310 (2006).
14. Y. K. Byeun, K. S. Han, H. J. Choi, and S. C. Choi, Mater. Sci. Eng., A, 452-453, 499 (2007).
15. D. M. G. Leite, L. F. da Silva, A. L. J. Pereira, and J. H. Dias da Silva, J. Cryst. Growth 294, 309 (2006).
16. Q. X. Guo, A. Okada, H. Kidera, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa, J. Cryst. Growth 237, 1079 (2002).
17. M. Marques, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. Furthmüller, F. Bechstedt, and L. G. Ferreira, Appl. Phys. Lett. 86, 164105 (2005).
18. I. T. Yoon, T. W. Kanga, and D. J. Kimb, Mater. Sci. Eng., B 134, 49 (2006).
19. N. E. Christensen and P. Perlin, in Semiconductors and Semimetals, edited by, R. K. Willardson, and, E. R. Weber, (Academic, New York, 1998), Vol. 50, Chap., pp. 409-427.
20. H. J. Trodahl, F. Budde, B. J. Ruck, S. Granville, A. Koo, and A. Bittar, J. Appl. Phys. 97, 084309 (2005).
21. D. M. G. Leite, A. L. J. Pereira, L. F. da Silva, and J. H. Dias da Silva, Braz. J. Phys. 36, 978 (2006).
22. R. A. Young, A. C. Larson, and C. O. Paiva-Santos, User's Guide to Program DBWS-9807 for Rietveld Analysis (Georgia Institute of Technology, Atlanta, 1998).
23. R. D. Shannon, Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen. Crystallogr. 32, 751 (1976).
24. A. Kaschner, Appl. Phys. Lett. 74, 3281 (1999).
25. L. Shi, F. A. Ponce, and J. Menendez, Appl. Phys. Lett.. 34, 3471 (2004).
26. C. Bungaro, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 61, 6720 (2000).
27. J. C. Nipko, C. K. Loong, C. M. Balkas, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 73, 34 (1998).
28. H. Harima, H. Sakashita, T. Inoue, and S. Nakashima, J. Cryst. Growth 189190, 672 (1998).
29. H. Harima, T. Inoue, S. Nakashima, K. Furukawa, and M. Taneya, Appl. Phys. Lett. 73, 2000 (1998).