Crystal orientation dependence of valence band structures in zinc-blende GaN/AlGaN quantum well structures

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 51, Issue 2, 2007, Pages 605-611

  Park, Seoung Hwan ^a  

^a Catholic University of Daegu   (South Korea)

Author keywords

AlGaN; Crystal orientation; GaN; Quantum well; Zinc blende

Indexed keywords

EID: 34548308765     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.51.605     Document Type: Article

References (34)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997), p. 7.
2. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
3. F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
4. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 50, 16 (2007).
5. W. Fang and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 67, 751 (1995).
6. K. Domen, K. Horino, A. Kuramata and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 70, 987 (1997).
7. A. Niwa, T. Ohtoshi and T. Kuroda, Appl. Phys. Lett. 70, 2159 (1997).
8. S. H. Park and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 59, 4725 (1999).
9. T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki, Japan. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
10. F. Mireles and S. E. Ulloa, Phys. Rev. B 62, 2562 (2000).
11. S. H. Park, J. Appl. Phys. 91, 9904 (2002).
12. S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, R. Ito, S. Fukatsu and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 124, 439 (1992).
13. T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham and J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 59, 944 (1991).
14. T. Ohtoshi, A. Niwa and T. Kuroda, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 4, 527 (1998).
15. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (Wiley, New York, 1995), Chap. 4.
16. S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 72, 3103 (1998).
17. J. M. Luttinger, Phys. Rev. 102, 1030 (1956).
18. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974), p. 311.
19. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 48, 472 (2006).
20. C. Y.-P. Chao and S. L. Chuang, Phy. Rev. B 46, 4110 (1992).
21. R. H. Henderson and E. Towe, J. Appl. Phys. 78, 2447 (1995).
22. R. H. Henderson and E. Towe, J. Appl. Phys. 79, 2029 (1996).
23. A. Bykhovski, B. Gelmont and S. Shur, Appl. Phys. Lett. 63, 2243 (1993).
24. D. L. Smith and C. Mailhiot, J. Appl. Phys. 63, 2717 (1988).
25. D. L. Smith and C. Mailhiot, J. Appl. Phys. 63, 2717 (1988).
26. O. Husberg, A. Khartchenko, D. J. As, H. Vogelsang, T. Frey, D. Schikora, K. Lischka, O. C. Noriega, A. Tabata and J. R. Leite, Appl. Phys. Lett. 79, 1243 (2001).
27. S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).
28. A. F. Wright and J. S. Nelson, Phys. Rev. B 51, 7866 (1995).
29. A. Rubio, J. L. Corkill, M. L. Cohen, E. L. Shirley and S. G. Louie, Phys. Rev. B 48, 11810 (1993).
30. Physics of Group IV Elements and III-V Compounds, edited by K. H. Hellwege and O. Madelung, Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol. 17, Pt. A (Springer-Verlag, Berlin, 1982), p. 86.
31. W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 79, 188 (1996).
32. A. T. Meney and E. P. O'Reilly, Appl. Phys. Lett. 67, 3013 (1995).
33. K. Kim, W. R. L. Lambrecht and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996).
34. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 70, 2577 (1997).