Transport properties in (Ga,Mn)N nanowire field-effect transistors

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 30, 2007, Pages 11480-11483

  Ham, Moon Ho ^a   Oh, Dong Keun ^b   Myoung, Jae Min ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b National Fusion Research Institute   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONCENTRATION (PROCESS); GALLIUM; MAGNETORESISTANCE; MANGANESE; NANOWIRES; NITROGEN; TRANSPORT PROPERTIES;

CURRENT RATIOS; NEGATIVE MAGNETORESISTANCE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 34548232216     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp073087k     Document Type: Article

References (23)

1. Johnson, J. C.; Choi, H. J.; Knutsen, K. P.; Schaller, R. D.; Yang, P.; Saykally, R. J. Nat. Mater. 2002, 1, 106.
2. Huang, Y.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2002, 2, 101.
3. Goldberger, J.; He, R.; Zhang, Y.; Lee, S.; Yan, H.; Choi, H. J.; Yang, P. Nature 2003, 422, 599.
4. Yamashita, T.; Hasegawa, S.; Nishida, S.; Ishimaru, M.; Hirotsu, Y.; Asahi, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 082109.
5. Calarco, R.; Marso, M.; Richter, T.; Aykanat, A. I.; Meijers, R.; Hart, A. V.; Stoica, T.; Luth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981.
6. Kim, H. M.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Adv. Mater. 2003, 15, 567.
7. Qian, F.; Li, Y.; Gradecak, S.; Wang, D.; Barrelet, C. J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 1975.
8. Zhong, Z.; Qian, F.; Wang, D.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 343.
9. Cheng, G.; Kolmakov, A.; Zhang, Y.; Moskovits, M.; Munden, R.; Reed, M. A.; Wang, G.; Moses, D.; Zhang, J. Appl. Phys. Lett. 2003, 55, 1578.
10. Dietl, T.; Ohno, H.; Matsukura, F.; Cibert, J.; Ferrand, D. Science 2000, 257, 1019.
11. Han, D. S.; Park, J.; Rhie, K. W.; Kim, S.; Chang, J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 032506.
12. Choi, H. J.; Seong, H. K.; Chang, J.; Lee, K. I.; Park, Y. J.; Kim, J. J.; Lee, S. K.; He, R.; Kuykendall, T.; Yang, P. Adv. Mater. 2005, 17, 1351.
13. Ham, M. H.; Myoung, J. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 59, 173117.
14. Ham, M. H.; Choi, J. H.; Hwang, W.; Park, C.; Lee, W. Y.; Myoung, J. M. Nanotechnology 2006, 17, 2203.
15. Thaler, G.; Frazier, R.; Gila, B.; Stapleton, J.; Davidson, M.; Abernathy, C. R.; Pearton, S. J.; Segre, C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1314.
16. Lei, B.; Li, C.; Zhang, D.; Zhou, Q. F.; Shung, K. K.; Zhou, C. Appl. Phys. Lett. 2004, 54, 4553.
17. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hertel, T.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
18. Tanaka, T.; Watanabe, A.; Amano, H.; Kobayashi, Y.; Akasaki, I.; Yamazaki, S.; Koike, M. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 593.
19. Myoung, J. M.; Shim, K. H.; Kim, C.; Gluschenkov, O.; Kim, K.; Kim, S.; Turnbull, D. A.; Bishop, S. G. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2722.
20. Overberg, M. E.; Abernathy, C. R.; Pearton, S. J.; Theodoropoulou, N. A.; McCarthy, K. T.; Hebard, A. F. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1312.
21. Ham, M. H.; Yoon, S.; Park, Y.; Myoung, J. M. J. Phys.: Condens. Matter 2004, 16, 6139.
22. Kim, K. H.; Lee, K. J.; Kim, D. J.; Kim, H. J.; Ihm, Y. E.; Djayaprawira, D.; Takahashi, M.; Kim, C. S.; Kim, C. G.; Yoo, S. H. Appl. Phys. Lett. 2003, 52, 1775.
23. Kazakova, O.; Kulkarni, J. S.; Holmes, J. D.; Demokritov, S. O. Phys. Rev. B 2005, 72, 094415.