Characteristics of liquid-phase-deposited TiO2 film on hydrogenated amorphous silicon

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 10 A, 2006, Pages 7617-7620

  Lee, Ming Kwei ^a   Lee, Hung Chang ^a   Hsu, Chih Min ^a  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

(NH4)2TiF6; a Si; LPD TiO2

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; ANNEALING; FILM GROWTH; LEAKAGE CURRENTS; PERMITTIVITY; TITANIUM DIOXIDE; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

BORIC ACID; LIQUID PHASE DEPOSITION; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) STRUCTURE;

OXIDE FILMS;

EID: 34547868532     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.7617     Document Type: Article

References (18)

1. M. Ikeda, M. Ogawa and K. Suzuki: Proc. Japan Display, 1989, p. 498.
2. J. H. Lan and J. Kanicki: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 129.
3. S. Sivoththaman, R. Jeyakumar, L. Ren and A. Nathan: J. Vac. Sci. Technol. A 20 (2002) 1149.
4. O. Auciello, W. Fan, B. Kabius, S. Saha, J. A. Carlisle, R. P. H. Chang, C. Lopez, E. A. Lrene and R. A. Baragiola: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 42904.
5. Y. H. Lee, K. K. Chan and M. J. Brady: J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1995) 596.
6. B. R. Weinberger and R. B. Garber: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2409.
7. B. C. Kang, S. B. Lee and J. H. Boo: Surf. Coat. Technol. 131 (2000) 88.
8. P. J. Hansen, V. Vaithyanathan, Y. Wu, T. Mates, S. Heikman, U. K. Mishra, R. A. York, D. G. Schlom and J. S. Speck: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 499.
9. S. Iizuka, S. Ooka, A. Nakata, M. Mizuhata and S. Deki: Electrochim. Acta 51 (2005) 802.
10. S. Deki, S. Iizuka, A. Horie, M. Mizuhata and A. Kajinami: Chem. Mater. 16 (2004) 1747.
11. M. K. Lee, C. M. Shih, S. M. Chang, H. C. Wang and J. J. Huang: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L220.
12. M. K. Lee, W. H. Shieh, C. M. Shih and K. W. Tung: J. Phys. Chem. B 107 (2003) 12700.
13. Y. Gao, Y. Masuda, T. Yonezawa and K. Koumoto: Chem. Mater. 14 (2002) 5006.
14. M. I. B. Bernardi, E. J. H. Lee, P. N. Lisboa-Filho, E. R. Leite, E. Longo and J. A. Varela: Mater. Res. 4 (2001) 223.
15. M. K. Lee, J. J. Huang and T. S. Wu: Electrochem. Solid-State Lett. 8 (2005) F8.
16. C. F. Yeh, S. S. Lin and C. L. Fan: IEEE Electron Device Lett. 16 (1995) 473.
17. C. J. Huang: Electrochem. Solid-State Lett. 4 (2001) F21.
18. D. F. Cox, T. B. Fryberger and S. Semancik: Phys. Rev. B 38 (1988) 2072.