High-Quality Nitrogen-Doped Fluorinated Silicon Oxide Films Prepared by Temperature-Difference-Based Liquid-Phase Deposition

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 107, Issue 46, 2003, Pages 12700-12704

  Lee, M K ^a   Shieh, W H ^a   Shih, C M ^a   Tung, K W ^a  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIUM COMPOUNDS; BORON; DEPOSITION; DOPING (ADDITIVES); ELLIPSOMETRY; FILM PREPARATION; FLUORINE; MOISTURE; NITROGEN; PASSIVATION; PERMITTIVITY;

FLUORINATION;

SILICA;

EID: 0345393774     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp030338q     Document Type: Article

References (25)

1. Shapiro, M. J.; Nguyen, S. V.; Matsuda, T.; Dobuzinsky, D. Solid Films 1995, 270, 503-507.
2. Chang, K. M.; Wang, S. W.; Yeh, T. H.; Li, C. H.; Luo, J. J. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 1754-1759.
3. Nishioka, Y.; da Silva, E. F.; Wang, Y., Jr.; Ma, T. P. IEEE Electron Device Lett. 1988, 9, 38-40.
4. Inoue, K.; Nakamura, M.; Okuyama, M.; Hamakawa, Y. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 2402-2404.
5. Usami, T.; Shimokawa, K.; Yoshimaru, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 408-412.
6. Miyajima, H.; Katsumata, R.; Nakasaki, Y.; Nishiyama, Y.; Hayasaka, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 6217-6225.
7. Nagayama, H.; Honda, H.; Kawahara, H. J. Electrochem. Soc. 1988, 135, 2013-2015.
8. Wang, N. F.; Chang, W. J.; Houng, M. P.; Wang, Y. H.; Huang, C. J. J. Vac. Sci. Technol., A 1999, 17, 102-107.
9. Yeh, C. F.; Chen, C. L.; Lin, G. H. J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 3177-3181.
10. Yeh, C. F.; Lee, Y. C.; Lee, S. C. J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 4268-4272.
11. Yeh, C. F.; Lee, Y. C.; Wu, K. H.; Su, Y. C.; Lee, S. C. J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 330-334.
12. Kudo, H.; Shinohara, R.; Takeishi, S.; Awaji, N.; Yamada, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 1583-1587.
13. Kaluri, S. R.; Hess, D. W. J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 662-667.
14. Swope, R.; Yoo, W. S.; Hsieh, J.; Shuchmann, S.; Nagy, F.; Nijenhuis, H. t.; Mordo, D. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 2559-2564.
15. Lee, M. K.; Lin, S. Y.; Shyr, J. M. J. Electrochem. Soc. 2001, 148, F1-F4.
16. Lee, M. K.; Lei, B. H.; Lin, C. H. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L979-L981.
17. Machorro, R.; Samano, E. C.; Soto, G.; Villa, F.; Cotaaraiza, L. Mater. Lett. 2000, 45, 47-50.
18. Yeh, C. F.; Chen, C. L. J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 3579-3583.
19. Rausch, N.; E. P. Burte, J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 145-148.
20. Erkov, V. G.; Devyatova, S. F.; Molodastova, E. L.; Malsteva, T. V.; Yanovaskii, U. A. Appl. Surf. Sci. 2000, 166, 51-56.
21. Lee, M. K.; Lin, C. H.; Lei, B. H.; Yang, C. D. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L53-L54.
22. Landheer, D.; Aers, G. C.; Sproule, G. I.; Khatri, R.; Simpson, P. J.; Gujrathi, S. C. J. Appl. Phys. 1995, 78, 2568-2574.
23. Basa, D. K.; Bose, M.; Bose, D. N. J. Appl. Phys. 2000, 87, 4324-4326.
24. Ezhilvalavan, S.; Tseng, T. Y. J. Appl. Phys. 1998, 83, 4797-4801.
25. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; John Wiley & Sons: New York, 1981; pp 250-254.