Bimetallic oxide nanoparticles CoxMoyO as charge trapping layer for nonvolatile memory device applications

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 4, 2007, Pages

  Liu, Chien Wei ^a   Cheng, Chin Lung ^b   Huang, Sung Wei ^b   Jeng, Jin Tsong ^b   Shiau, Shiuan Hua ^c   Dai, Bau Tong ^a  

^a NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES   (Taiwan)

^b NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIMETALS; CHARGE TRAPPING; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COBALT COMPOUNDS; DIELECTRIC MATERIALS; HYSTERESIS; VOLTAGE MEASUREMENT;

BIMETALLIC OXIDE; CAPACITANCE-VOLTAGE (C-V) MEASUREMENTS; IMAGE DISPLAYS;

NANOPARTICLES;

EID: 34547486998     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2763962     Document Type: Article

References (18)

1. Y. N. Tan, W. K. Chim, W. K. Choi, M. S. Joo, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices 53, 654 (2006).
2. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
3. C. L. Cheng, K. S. Chang-Liao, C. H. Huang, and T. K. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 212902 (2005).
4. C. L. Cheng, C. Y. Lu, K. S. Chang-Liao, C. H. Huang, S. H. Wang, and T. K. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 53, 63 (2006).
5. C. L. Cheng, K. S. Chang-Liao, T. C. Wang, T. K. Wang, and H. C. H. Wang, IEEE Electron Device Lett. 27, 148 (2006).
6. C. L. Cheng, C. W. Liu, and J. T. Jeng, Appl. Phys. Lett. 90, 062114 (2007).
7. W. L. Liu, P. F. Lee, J. Y. Dai, J. Wang, H. L. W. Chan, C. L. Choy, Z. T. Song, and S. L. Feng, Appl. Phys. Lett. 86, 013110 (2005).
8. J. Y. Yang, J. H. Kim, W. J. Choi, Y. H. Do, C. O. Kim, and J. P. Hong, J. Appl. Phys. 100, 066102 (2006).
9. C. Sargentis, K. Giannakopoulos, A. Travlos, N. Boukos, and D. Tsamakis, Appl. Phys. Lett. 88, 073106 (2006).
10. P. H. Yeh, C. H. Yu, L. J. Chen, H. H. Wu, P. T. Liu, and T. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 87, 193504 (2005).
11. S. K. Samanta, W. J. Yoo, G. Samudra, E. S. Tok, L. K. Bera, and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett. 87, 113110 (2005).
12. S. Choi, S. S. Kim, M. Chang, H. Hwang, S. Jeon, and C. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 123110 (2005).
13. J. J. Lee, Y. Harada, J. W. Pyun, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 86, 103505 (2005).
14. J. H. Chen, W. J. Yoo, D. S. H. Chan, and L. J. Tang, Appl. Phys. Lett. 86, 073114 (2005).
15. H. Fujioka, S. Kamohara, Y. C. King, and K. Yang, http://wwwdevice.eecs. berkeley.edu/qmcv/index.shtml
16. M. Hu, Y. Murakami, M. Ogura, S. Maruyama, and T. Okubo, J. Catal. 225, 230 (2004).
17. H. B. Michaelson, J. Appl. Phys. 48, 4729 (1977).
18. K. Han, I. Kim, and H. Shin, IEEE Electron Device Lett. 21, 313 (2000).