Charge state control and relaxation in an atomically doped silicon device

Nano Letters

Volumn 7, Issue 7, 2007, Pages 2000-2003

  Andresen, Søren E S ^a,c   Brenner, Rolf ^a,d   Wellard, Cameron J ^b,e   Yang, Changyi ^b   Hopf, Toby ^b   Escott, Christopher C ^a   Clark, Robert G ^a   Dzurak, Andrew S ^a   Jamieson, David N ^b   Hollenberg, Lloyd C L ^b  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

^b UNIVERSITY OF MELBOURNE   (Australia)

^c UNIVERSITY OF COPENHAGEN   (Denmark)

^d NXP SEMICONDUCTORS   (Germany)

^e ROYAL MELBOURNE HOSPITAL   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; DOPING (ADDITIVES); NANOELECTRONICS; PHOSPHORUS; SILICON;

CHARGE STATE CONTROL; CHARGE STATE RELAXATION; PHONON EMISSION;

SEMICONDUCTOR DEVICES;

EID: 34547449962     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl070797t     Document Type: Article

References (28)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors. ITRS.net, 2005.
2. Kane, B. E. Nature1998, 393, 133-137.
3. Vrijen, R.; Yablonovitch, E.; Wang, K.; Jiang, H. W.; Balandin, A.; Roychowdhury, V.; Mor, T.; DiVincenzo, D. Phys. Rev. A2000, 62, 012306.
4. Hollenberg, L. C. L.; Dzurak, A. S.; Wellard, C.; Hamilton, A. R.; Reilly, D. J.; Milburn, G. J.; Clark, R. G. Phys. Rev. B2004, 69, 113301.
5. Hill, C. D.; Hollenberg, L. C. L.; Fowler, A. G.; Wellard, C. J.; Greentree, A. D.; Goan, H.-S. Phys. Rev. B2005, 72, 045350.
6. Hollenberg, L. C. L.; Greentree, A. D.; Fowler, A. G.; Wellard, C. J. Phys. Rev. B2006, 74, 045311.
7. Tyryshkin, A. M.; Lyon, S. A.; Schenkel, T.; Bokor, J.; Chu, J.; Jantsch, W.; Schäffler, F.; Truitt, J. L.; Coppersmith, S. N.; Eriksson, M. A. Physica E2006, 35, 257-263.
8. Fulton, T. A.; Dolan, G. J. Phys. Rev. Lett.1987, 59, 109-112.
9. Hayashi, T.; Fujisawa, T.; Cheong, H. D.; Jeong, Y. H.; Hirayama, Y. Phys. Rev. Lett.2003, 91, 226804.
10. Petta, J. R.; Johnson, A. C.; Marcus, C. M.; Hanson, M. P.; Gossard, A. C. Phys. Rev. Lett.2004, 93, 186802.
11. Petta, J. R.; Johnson, A. C.; Taylor, J. M.; Laird, E. A.; Yacoby, A.; Lukin, M. D.; Marcus, C. M.; Hanson, M. P.; Gossard, A. C. Science2005, 309, 2180-2184.
12. Koppens, F. H. L.; Buizert, C.; Tielrooij, K. J.; Vink, I. T.; Nowack, K. C.; Meunier, T.; Kouwenhoven, L. P.; Vandersypen, L. M. K. Nature2006, 442, 766-771.
13. Schenkel, T.; Persaud, A.; Park, S. I.; Nilsson, I.; Bokor, J.; Liddle, J. A.; Keller, R.; Schneider, D. H.; Cheng, D. W.; Humphries, D. E. J. Appl. Phys.2003, 94, 7017-7024.
14. Shinada, T.; Okamoto, S.; Kobayashi, T.; Ohdomari, I. Nature2005, 437, 1128-1131.
15. Jamieson, D. N.; Yang, C.; Hopf, T.; Hearne, S. M.; Pakes, C. I.; Prawer, S.; Mitic, M.; Gauja, E.; Andresen, S. E.; Hudson, F. E.; Dzurak, A. S.; Clark, R. G. Appl. Phys. Lett.2005, 86, 202101.
16. Mitic, M.; Andresen, S. E.; Yang, C.; Hopf, T.; Chan, V.; Gauja, E.; Hudson, F. E.; Buehler, T. M.; Brenner, R.; Ferguson, A. J.; Pakes, C. I.; Hearne, S. M.; Tamanyan, G.; Reilly, D. J.; Hamilton, A. R.; Jamieson, D. N.; Dzurak, A. S.; Clark, R. G. Microelectron. Eng.2005, 78-79, 279-286.
17. Schofield, S. R.; Curson, N. J.; Simmons, M. Y.; Rueβ, F. J.; Hallam, T.; Oberbeck, L.; Clark, R. G. Phys. Rev. Lett.2003, 91, 136104.
18. Likharev, K. K. Proc. IEEE1999, 87, 606-632.
19. SRIM.org; Ziegler, J. F.; Biersack, J. P.; Littmark, U. The stopping and range of ions in solids; Pergamon Press: New York, 1985.
20. Fahey, P. M.; Griffin, P. B.; Plummer, J. D. Rev. Mod. Phys.1989, 61, 289-384.
21. Schoelkopf, R. J.; Wahlgren, P.; Kozhevnikov, A. A.; Delsing, P.; Prober, D. E. Science1998, 280, 1238-1242.
22. Buehler, T. M.; Chan, V.; Ferguson, A. J.; Dzurak, A. S.; Hudson, F. E.; Reilly, D. J.; Hamilton, A. R.; Clark, R. G.; Jamieson, D. N.; Yang, C.; Pakes, C. I.; Prawer, S. Appl. Phys. Lett.2006, 88, 192101.
23. Lee, K. H.; Greentree, A. D.; Dinale, J. P.; Escott, C. C.; Dzurak, A. S.; Clark, R. G. Nanotechnology2005, 16, 74-81.
24. Barrett, S. D.; Milburn, G. J. Phys. Rev. B2003, 68, 155307.
25. Hu, X.; Koiller, B.; Das Sarma, S. Phys. Rev. B2005, 71, 235332.
26. Wellard, C. J.; Hollenberg, L. C. L.; Das Sarma, S. Phys. Rev. B2006, 74, 075306.
27. Ralls, K. S.; Skocpol, W. J.; Jackel, L. D.; Howard, R. E.; Fetter, L. A.; Epworth, R. W.; Tennant, D. M. Phys. Rev. Lett.1984, 52, 228-231.
28. Poindexter, E. H. Semicond. Sci. Technol.1989, 4, 961-969. NL070797T