Improved photostability of organic thin film transistors with tantalum oxide/poly(4-vinylphenol) double gate insulators

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 25, 2007, Pages

  Zhao, Yihua ^a   Dong, Guifang ^a   Wang, Liduo ^a   Qiu, Yong ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AROMATIC POLYMERS; ELECTRON TRAPS; GATE DIELECTRICS; INSULATING MATERIALS; TANTALUM COMPOUNDS;

ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS; PHOTOSTABILITY; TRAP DENSITY; VOLTAGE SHIFT;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 34547300816     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2750545     Document Type: Article

References (22)

1. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
2. B. Crone, A. Dodabalapur, Y. Y. Lin, R. W. Filas, Z. Bao, A. LaDuca, R. Sarpeshkar, H. E. Katz, and W. Li, Nature (London) 403, 521 (2000).
3. Y. Noguchi, T. Sekitani, and T. Someya, Appl. Phys. Lett. 89, 253507 (2006).
4. T. W. Kelley, L. D. Boardman, T. D. Dunbar, D. V. Muyres, M. J. Pellerite, and T. P. Smith, J. Phys. Chem. B 107, 5877 (2003).
5. M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benziger, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 81, 268 (2002).
6. D. K. Hwang, K. Lee, J. H. Kim, S. Im, J. H. Park, and E. Kim, Appl. Phys. Lett. 89, 093507 (2006).
7. C A. Lee, D. W. Park, K. D. Jung, B. J. Kim, Y. C. Kim, J. D. Lee, and B. G. Park, Appl. Phys. Lett. 89, 262120 (2006).
8. B. Fraboni, A. Matteucci, A. Cavallini, E. Orgiu, and A. Bonflglio, Appl. Phys. Lett. 89, 222112 (2006).
9. S. Hoshino, M. Yoshida, S. Uemura, T. Kodzasa, N. Takada, T. Kamata, and K. Yase, J. Appl. Phys. 95, 5088 (2004).
10. Y. Qiu, Y. C. Hu, G. F. Dong, L. D. Wang, J. F. Xie, and Y. N. Ma, Appl. Phys. Lett. 83, 1644 (2003).
11. H. Sirringhaus, N. Tessler, and R. H. Friend, Science 280, 1741 (1998).
12. K. S. Narayan and N. Kumar, Appl. Phys. Lett. 79, 1891 (2001).
13. Y. Liang, G. F. Dong, Y. Hu, L. D. Wang, and Y. Qiu, Appl. Phys. Lett. 86, 132101 (2005).
14. J. Tate, J. A. Rogers, C. D. W. Jones, B. Vyas, D. W. Murphy, W. J. Li, Z. A. Bao, R. E. Slusher, A. Dodabalapur, and H. E. Katz, Langmuir 16, 6054 (2000).
15. C Bartic, H. Jansen, A. Campitelli, and S. Borghs, Org. Electron. 3, 65 (2002).
16. H. Sakai, Y. Furukawa, E. Fujiwara, and H. Tada, Chem. Lett. 33, 1172 (2004).
17. K. Ueno, S. Abe, R. Onoki, and K. Saiki, J. Appl. Phys. 98, 114503 (2005).
18. H. Klauk, M, Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, and W. Weber, J. Appl. Phys. 92, 5259 (2002).
19. A. Deman and J. Tardy, Org. Electron. 6, 78 (2005).
20. J. G. Zhou, K. X. Yang, J. L. ZHou, Y. R. Liu, J. B. Peng, and Y. Cao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46, 913 (2007).
21. C. S. Kim, W. J. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, S. J. Lee, and H. K. Baik, Electrochem. Solid-State Lett. 9, G96 (2006).
22. M. McDowell, I. G. Hill, J. E. McDermott, S. L. Bernasek, and J. Schwartz, Appl. Phys. Lett. 88, 073505 (2006).