Structural and magnetic properties of Mn-ion implanted ZnO films

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 1, 2007, Pages

  Venkataraj, Selvaraj ^a   Ohashi, Naoki ^a   Sakaguchi, Isao ^a   Adachi, Yutaka ^a   Ohgaki, Takeshi ^a   Ryoken, Haruki ^b   Haneda, Hajime ^b  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^b KYUSHU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ION IMPLANTATION; MAGNETIC PROPERTIES; MAGNETIC VARIABLES MEASUREMENT; PARAMAGNETISM; PULSED LASER DEPOSITION; RAMAN SCATTERING; ZINC OXIDE;

AFTER ANNEALING EFFECTS; ZINC OXIDE FILMS DOPING;

THIN FILMS;

EID: 34547181853     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2752123     Document Type: Article

References (45)

1. J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 64, R29 (1988).
2. R. Fledering, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, and L. W. Molenkamp, Nature (London) 402, 787 (1999).
3. Y. Ohono, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohono, and D. D. Awschalom, Nature (London) 402, 790 (1999).
4. H. Ohno, F. Matsukura, and Y. Ohno, JSAP Int. 5, 4 (2002).
5. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, D. P. Norton, A. F. Hebard, Y. D. Park, L. A. Boatner, and J. D. Budai, Mater. Sci. Eng., R. 40, 137 (2003).
6. S. Das Sarma, Am. Sci. 89, 516 (2001).
7. H. Ohono, Science 281, 951 (1998).
8. T. Dietl, H. Ohno, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
9. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L555 (2000).
10. S. Risbud, N. A. Spaldin, Z. Q. Chen, S. Stemmer, and R. Seshadri, Phys. Rev. B 68, 205202 (2003).
11. P. Sharma, Nat. Mater. 21, 673 (2003).
12. N. A. Theodoropoulou, Solid-State Electron. 47, 2231 (2003).
13. K. Rode, A. Anane, R. Mattana, J.-P. Contour, O. Durand, and R. Le Bourgeois, J. Appl. Phys. 93, 7676 (2003).
14. Y. Matsumoto, Science 291, 854 (2001).
15. J. Y. Kim, Phys. Rev. Lett. 90, 017401 (2003).
16. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth 237-239, 1358 (2002).
17. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Phys. Rev. Lett. 89, 107203 (2002).
18. S. W. Yoon, S.-B. Cho, S. C. We, S. Yoon, B. J. Suh, H. K. Song, and Y. J. Shin, J. Appl. Phys. 93, 7879 (2003).
19. T. Fukumura, Z. Jin, M. Kawasaki, T. Shono, T. Hasegawa, S. Koshihara, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 958 (2001).
20. X. M. Cheng and C. L. Chien, J. Appl. Phys. 93, 7876 (2003).
21. J. L. Costa-Kramer, F. Briones, J. F. Fernandez, A. C. Caballero, M. Villegas, M. Diaz, M. A. Garcia, and A. Hernando, Nanotechnology 16, 214 (2005).
22. I. Sakaguchi, H. Ryoken, Y. Sato, S. Hishita, N. Ohashi, N. Saito, and H. Haneda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L770 (2005).
23. T. Ogino, Key Eng. Mater. 181, 101 (2000).
24. H. Ryoken, I. Sakaguchi, N. Ohashi, T. Sekiguchi, S. Hishita, and H. Haneda, J. Mater. Res. 20, 2866 (2005).
25. I. Sakaguchi, Y. Sato1, H. Ryoken, S. Hishita, N. Ohashi, and H. Haneda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L1289 (2005).
26. T. Ohgaki, N. Ohashi, H. Kakemoto, S. Wada, Y. Adachi, H. Haneda, and T. Tsurumi, J. Appl. Phys. 93, 1961 (2003).
27. H. Ryoken, N. Ohashi, I. Sakaguchi, Y. Adachi, S. Hishita, and H. Hajime, J. Cryst. Growth 287, 134 (2006).
28. N. Ohashi, I. Sakaguchi, S. Hishita, Y. Adachi, H. Hareda, and T. Ogino, J. Appl. Phys. 92, 2378 (2002).
29. N. Ohashi, T. Sekiguchi, H. Haneda, Y. Terada, T. Ohgaki, T. Tsurumi, J. Tanaka, and O. Fukunaga, Key Eng. Mater. 157, 227 (1999).
30. N. Ohashi, J. Tanaka, T. Ohgaki, H. Haneda, M. Ozawa, and T. Tsurumi, J. Mater. Res. 17, 1529 (2002).
31. T. C. Damen, S. P. S. Porto, and B. Tell, Phys. Rev. 142, 570 (1966).
32. G. H. Watson, Jr., W. B. Daniels, and C. S. Wang, J. Appl. Phys. 52, 956 (1981).
33. J. M. Calleja and M. Cardona, Phys. Rev. B 16, 3753 (1977).
34. C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 83, 1974 (2003).
35. C. A. Arguello, D. L. Rousseau, and S. P. S. Porto, Phys. Rev. 181, 1351 (1969).
36. J. B. Wang, H. M. Zhong, Z. F. Li, and W. Lu, J. Appl. Phys. 97, 086105 (2005).
37. Y.-G. Wang, N. Ohashi, Y. Wada, I. Sakaguchi, T. Ohgaki, and H. Haneda, J. Appl. Phys. 100, 023524 (2006).
38. Y. W. Heo, Appl. Phys. Lett. 84, 2292 (2004).
39. N. Ohashi, Y. Terada, T. Ohgaki, S. Tanaka, T. Tsurumi, O. Fukunaga, H. Haneda, and J. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5028 (1999).
40. S. Venkataraj, H. Royken, I. Sakaguchi, N. Ohashi, and H. Haneda, presented at Materials Research Society 2005 Fall Meeting, Boston, MA, Nov. 30, 2005 (unpublished).
41. A. Hausmann and H. Huppertz, J. Phys. Chem. Solids 29, 1369 (1968).
42. J. Alaria, Chem. Phys. Lett. 415, 337 (2005).
43. D. H. Hill, Phys. Status Solidi A 203, 3836 (2006).
44. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
45. K. Ip, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1476 (2003).