High speed chalcogenide random access memory based on Si2Sb 2Te5

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 46, Issue 8-11, 2007, Pages

  Zhang, Ting ^b   Song, Zhitang ^a   Rao, Feng ^a   Feng, Gaoming ^a   Liu, Bo ^a   Feng, Songlin ^a   Chen, Bomy ^c  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

^c SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC   (United States)

Author keywords

Chalcogenlde random access memory; Data retention; Phase change; Si2Sb 2Te5

Indexed keywords

CHALCOGENIDES; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; PHASE CHANGE MEMORY; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

CHALCOGENLDE RANDOM ACCESS MEMORY; DATA RETENTION; RESISTANCE RATIO;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 34250758434     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.L247     Document Type: Article

References (17)

1. S. L. Cho, J. H. Yi, Y. H. Ha, B. J. Kuh, C. M. Lee, J. H. Park, S. D. Nam, H. Horii, B. O. Cho, K. C. Ryoo, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2005, p. 96.
2. S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, J. H. Oh, G. H. Koh, G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2005, p. 98.
3. J. D. Maimon, K. H. Hunt, L. Burcin, and J. Rodgers: IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 (2003) 1878.
4. F. Yeung, S. J. Ahn, Y. N. Hwang, C. W. Jeong, Y. J. Song, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. M. Shin, W. C. Jeong, Y. T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 2691.
5. I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge, P. Franz, and M. Wuttig: J. Appl. Phys. 87 (2000) 4130.
6. N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Fujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, H. Moriya, T. Iwasaki, T. Kawahara, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka, and M. Moniwa: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 738.
7. C. W. Jeong, S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, J. H. Oh, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. H. Park, J. M. Shin, F. Yeung, W. C. Jeong, J. I. Kim, and G. H. Koh: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3233.
8. Y. S. Park, K. J. Choi, N. Y. Lee, S. M. Yoon, S. Y. Lee, S. O. Ryu, and B. G. Yu: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L516.
9. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
10. J. M. Lee, K. Shin, C. H. Yeo, and H. B. Chung: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 5467.
11. S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. O. Ryu, K. J. Choi, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, M. J. Kang, S. Y. Choi, and M. Wuttig: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 445.
12. H. Lee, Y. K. Kim, D. Kim, and D. H. Kang: IEEE Trans. Magn. 41 (2005) 1034.
13. T. Zhang, Z. T. Song, B. Liu, S. L. Feng, and B. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L70.
14. T. Zhang, Z. T. Song, M. D. Sun, B. Liu, S. L. Feng, and B. Chen: submitted to Solid-State Electron.
15. Y. N. Hwang, J. S. Hong, S. H. Lee, S. J. Ahn, G. T. Jeong, G. H. Koh, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, S. Y. Lee, J. H. Park, K. C. Ryoo, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, W. Y. Cho, Y. T. Kim, K. H. Lee, S. H. Joo, S. O. Park, U. I. Chung, H. S. Jeong, and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 20.
16. A. Redaelli, D. Ielmini, A. L. Lacaita, F. Pellizzer, A. Pirovano, and R. Bez: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 742.
17. W. Welnic, A. Pamungkas, R. Detemple, C. Steimer, S. Blügel, and M. Wuttig: Nat. Mater. 5 (2006) 56.