Improved long-term thermal stability of InGaNGaN multiple quantum well light-emitting diodes using Ti B2 - And Ir-based p -Ohmic contacts

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 24, 2007, Pages

  Stafford, L ^a   Voss, L F ^a   Pearton, S J ^a   Wang, H T ^a   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; LEAKAGE CURRENTS; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMODYNAMIC STABILITY;

TURN-ON VOLTAGE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34250667613     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2748306     Document Type: Article

References (27)

1. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light-Emitting Diodes, edited by, S. Nakamura, and, S. F. Chichibu, (Taylor and Francis, London, 2000).
2. M. Meneghini, L.-R. Trevisanello, U. Zehnder, T. Zahner, U. Strauss, G. Meneghesso, and E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2981 (2006).
3. S. Bychikhin, D. Pogany, L. K. J. Vandamme, G. Meneghesso, and E. Zanoni, J. Appl. Phys. 97, 123714 (2005).
4. M. Pavesi, F. Rossi, and E. Zanoni, Semicond. Sci. Technol. 21, 138 (2006).
5. F. Rossi, M. Pavesi, M. Meneghini, G. Salviati, M. Manfredi, G. Meneghesso, A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, U. Strass, U. Zehnder, and E. Zanoni, J. Appl. Phys. 99, 053104 (2006).
6. X. A. Cao and S. D. Arthur, Appl. Phys. Lett. 85, 3971 (2004).
7. X. A. Cao, S. F. LeBoeuf, M. P. D'Evelyn, S. D. Arthur, J. Kretchmer, C. H. Yan, and Z. H. Yang, Appl. Phys. Lett. 84, 4313 (2004).
8. X. A. Cao, J. M. Teetsov, M. P. D'Evelyn, D. W. Merfeld, and C. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 85, 7 (2004).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kikyou, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1059 (1997).
10. C. Y. Hsu, W. H. Lan, and Y. S. Wu, Appl. Phys. Lett. 83, 2447 (2003).
11. A. P. Zhang, B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, J. Han, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 79, 3636 (2001).
12. T. Maeda, Y. Koide, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 75, 4145 (1999).
13. L.-C. Chen, J.-K. Ho, C.-S. Jong, C. C. Chiu, K.-K. Shih, F.-R. Chen, J.-J. Kai, and L. Chang, Appl. Phys. Lett. 76, 3703 (2000).
14. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000).
15. H. Omiya, F. A. Ponce, H. Marui, S. Tanaka, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 85, 6143 (2004).
16. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, J. M. DeLucca, B. P. Luther, and G. E. Bulman, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 607 (1998).
17. C.-F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 77, 3423 (2000).
18. L. F. Voss, R. Khanna, S. J. Pearton, F. Ren, and I. I. Kravchenko, Appl. Phys. Lett. 88, 012104 (2006).
19. L. F. Voss, R. Khanna, S. J. Pearton, F. Ren, and I. I. Kravchenko, Appl. Surf. Sci. 253, 1255 (2006).
20. W. Zagozdzon-Wosik, D. Radhakrishnan, C. Darne, I. Rusakova, P. van der Heide, Z.-H. Zhang, J. Bennett, L. Trombetta, and P. Majhi, Appl. Phys. Lett. 8, 185 (2004).
21. Y. D. Qi, H. Liang, D. Wang, Z. D. Lu, W. Tang, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 86, 101903 (2005).
22. X. Guo and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 78, 3337 (2001).
23. A. Chitnis, J. Sun, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, S. Wu, M. Gaevski, V. Adivarahan, J. P. Zhang, M. Asif Khan, A. Sarua, and M. Kuball, Appl. Phys. Lett. 81, 3491 (2002).
24. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Furioli, P. Sartori, J. Mu, and M. Osinski, J. Electron. Mater. 26, 311 (1997).
25. G. Franssen, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, T. Suski, and P. Perlin, J. Appl. Phys. 94, 6122 (2003).
26. J. M. Shah, Y. L. Li, T. Gessmann, and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 94, 2623 (2003).
27. S. H. Wang, S. E. Mohney, and R. Birkhahn, J. Appl. Phys. 91, 3711 (2002).