Low threshold, high gain AlGaInAs quantum dot lasers

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 22, 2007, Pages

  Schlereth, T W ^a   Schneider, C ^a   Kaiser, W ^a   Hofling S ^a   Forchel, A ^a  

^a UNIVERSITY OF WÜRZBURG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM ALLOYS; LASER APPLICATIONS; QUANTUM EFFICIENCY; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

CHARACTERISTIC TEMPERATURE; MATERIAL GAIN;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 34249910302     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2745200     Document Type: Article

References (19)

1. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, and N. A. Maleev, Quantum Dot Lasers (Oxford University Press, New York, 2003).
2. D. Bimberg, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, M. V. Maximov, Y. M. Shernyakov, and B. V. Volovik, Thin Solid Films 367, 235 (2000).
3. S. Deubert, R. Debusmann, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, Electron. Lett. 41, 1125 (2005).
4. H. Y. Liu, I. R. Sellers, R. J. Airey, M. J. Steer, P. A. Houston, D. J. Mowbray, J. Cockburn, M. S. Skolnick, B. Xu, and Z. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 80, 3769 (2002).
5. S. Fafard, K. Hinzer, S. Raymond, M. Dion, J. McCaffrey, Y. Feng, and S. Charbonneau, Science 274, 1350 (1996).
6. D. L. Huffaker, L. A. Graham, and D. G. Deppe, Electron. Lett. 33, 1225 (1997).
7. F. Schafer, B. Mayer, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, J. Cryst. Growth 202, 914 (1999).
8. A. Loffler, J. P. Reithmaier, A. Forchel, A. Sauerwald, D. Peskes, T. Kummell, and G. Bacher, J. Cryst. Growth 286, 6 (2006).
9. O. Baklenov, D. L. Huffaker, A. Anselm, D. G. Deppe, and B. G. Streetman, J. Appl. Phys. 82, 6362 (1997).
10. Y. Horikoshi, H. Yamaguchi, and M. Kawashima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28, 1307 (1989).
11. A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, V. M. Ustinov, Y. M. Shernyakov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, Z. I. Alferov, and D. Bimberg, Semiconductors 32, 997 (1998).
12. L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, New York, 1995).
13. S. S. Mikhrin, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, Y. M. Shernyakov, I. P. Soshnikov, D. A. Livshits, I. S. Tarasov, D. A. Bedarev, B. V. Volovik, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Z. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 15, 1061 (2000).
14. N. Kirstaedter, O. G. Schmidt, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 69, 1226 (1996).
15. Z. C. Xu, D. Birkedal, M. Juhl, and J. M. Hvam, Appl. Phys. Lett. 85, 3259 (2004).
16. S. Kiravittaya, A. Rastelli, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 88, 043112 (2006).
17. H. Y. Liu, B. Xu, J. J. Qian, X. L. Ye, Q. Han, D. Ding, J. B. Liang, X. R. Zhong, and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 90, 2048 (2001).
18. H. Shimizu, S. Saravanan, J. Yoshida, S. Ibe, and N. Yokouchi, Appl. Phys. Lett. 88, 241117 (2006).
19. I. P. Marko, A. D. Andreev, A. R. Adams, R. Krebs, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1300 (2003).