Effect of the quantum-dot surface density in the active region on injection-laser characteristics

Semiconductors

Volumn 32, Issue 9, 1998, Pages 997-1000

  Kovsh, A R ^a   Zhukov, A E ^a   Egorov, A Yu ^a   Ustinov, V M ^a   Shernyakov, Yu M ^a   Maksimov, M V ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Volovik, B V ^a   Lunev, A V ^a   Ledentsov, N N ^a   Kop'ev, P S ^a   Alferov, Zh I ^a   Bimberg, D ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009014032     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187532     Document Type: Article

References (22)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, J. Quant. Electron., QE-22, 1915 (1986).
3. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
4. P. M. Petroff and S. P. DenBaars, Superlattices Microstruct. 15, 15 (1994).
5. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shemyakov, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gosele, J. Cryst. Growth 175/176, 689 (1997).
6. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, V. I. Kopchatov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, V. Volovik, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, and D. Bimberg, Electron. Lett. (1998) (in press).
7. S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, N. Kirstaedter, and D. Bimberg, Superlattices Microstruct. 21, 559 (1997).
8. O. G. Schmidt, N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. H. Mao, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Electron. Lett. 32, 1302 (1996).
9. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, in Proceedings of the Mater. Research Society, 1995 Fall Meeting, Boston, MA, 1995, EE 3.6.
10. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
11. A. F. Tsatsul'nikov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, B. V. Volovik, A. A. Suvorova, N. A. Bert, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 851 (1997) [Semiconductors 31, 722 (1997)].
12. A. F. Tsatsul'nikov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, B. V. Volovik, A. A. Suvorova, N. A. Bert, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 851 (1997) [Semiconductors 31, 722 (1997)].
13. A. F. Tsatsul'nikov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, A. A. Suvorova, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 110 (1997) [Semiconductors 31, 88 (1997)].
14. A. F. Tsatsul'nikov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, A. A. Suvorova, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 110 (1997) [Semiconductors 31, 88 (1997)].
15. S. S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 51, 14 766 (1995).
16. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
17. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
18. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, and J. Heydenreich, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).
19. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 707 (1996)].
20. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 707 (1996)].
21. A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, J. Electron. Mater. 27, 106 (1998).
22. L. V. Asryan and R. A. Suris, in Proceedings of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology," St. Petersburg, 1996, p. 354.