Red light emission from controlled multilayer stack comprising of thin amorphous silicon and silicon nitride layers

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 22, 2007, Pages

  Tan, W K ^a   Yu, M B ^a   Chen, Q ^a   Ye, J D ^a   Lo, G Q ^a   Kwong, D L ^a  

^a INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; ANNEALING; CRYSTALLIZATION; MULTILAYERS; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

DIELECTRIC LAYERS; ELECTRICAL INJECTION; PEAK EMISSION WAVELENGTH;

LIGHT EMISSION;

EID: 34249900695     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2743743     Document Type: Article

References (22)

1. G. Franzo, A. Irrera, E. C. Moreira, M. Miritello, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P. G. Fallica, and F. Priolo, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A74, 1 (2002).
2. L. Khriachtchev, N. Rasanen, S. Novikov, and J. Sinkkonen, Appl. Phys. Lett. 79, 1249 (2001).
3. L. Dal Negro, M. Cazzanelli, N. Daldosso, Z. Gaburro, L. Pavesi, F. Priolo, D. Pacifici, F. Franzo, and F. Iacona, Physica E (Amsterdam) 16, 297 (2003).
4. D. Jurbergs, E. Rogojina, L. Mangolini, and U. Kortshagen, Appl. Phys. Lett. 88, 233116 (2006).
5. N. D. Zakharov, V. G. Talalaev, P. Werner, A. A. Tokikh, and G. E. Cirlin, Appl. Phys. Lett. 83, 3084 (2003).
6. W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature (London) 410, 192 (2001).
7. M. Kittler, M. Reicher, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Status Solidi A 203, 802 (2006).
8. H. S. Rong, A. S. Liu, R. Jones, O. Cohen, D. Hak, R. Nicolaescu, A. Fang, and M. Paniccia, Nature (London) 433, 292 (2005).
9. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature (London) 408, 440 (2000).
10. R. J. Walters, J. Carreras, T. Feng, L. D. Bell, and H. A. Atwater, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1647 (2006).
11. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
12. L. Dal Negro, J. H. Yi, J. Michel, L. C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamson, and G. Galli, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1628 (2006).
13. L. Dal Negro, J. H. Yi, L. C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamsonn, and G. Galli, Appl. Phys. Lett. 88, 183103 (2006).
14. K. S. Cho, N. M. Park, T. Y. Kim, K. H. Kim, G. Y. Sung, and J. H. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 071909 (2005).
15. M. Zacharias, J. Blasing, P. Veit, L. Tsybeskov, K. Hirschman, and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 74, 2614 (1999).
16. L. Wang, X. Huang, Z. Ma, Z. Li, J. Shi, L. Zhang, Y. Bao, X. Wang, W. Li, J. Xu, and K. Chen, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A74, 783 (2002).
17. L. Dal Negro, J. H. Yi, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 183103 (2006).
18. L. Dal Negro, J. H. Yi, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 233109 (2006).
19. S. V. Deshpande, E. Gulari, S. W. Brown, and S. C. Rand, J. Appl. Phys. 77, 6534 (1995).
20. D. J. Lockwood, Z. H. Lu, and J.-M. Baribeau, Phys. Rev. Lett. 76, 539 (1996).
21. Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J. M. Baribeau, Nature (London) 378, 258 (1995).
22. F. Giorgis, C. Vinegoni, and L. Pavesi, Phys. Rev. B 61, 4693 (2000).