Reaction-limited wet etching of CuCrO2

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 6, 2007, Pages 178-180

  Lim, W T ^a   Sadik, P W ^a   Norton, D P ^b   Pearton, S J ^a,b   Wang, Y L ^a   Ren, F ^a,b  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHANTS; PHOTORESIST MASKING;

ACTIVATION ENERGY; PULSED LASER DEPOSITION; SAPPHIRE; WET ETCHING; ZINC OXIDE;

COPPER COMPOUNDS;

EID: 34047274605     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2719551     Document Type: Article

References (26)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B, 80, 383 (2001).
2. See, for example, ZnO Bulk, Thin Films and Nanostructures, C. Jagadish, and, S. J. Pearton, Editors, Elsevier, Oxford, U.K. (2006).
3. M. Wraback, H. Shen, S. Liang. C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett., 74, 507 (1999).
4. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 77, 475 (2000).
5. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L1205 (1999).
6. S. Krishnamoorthy, A. A. Iliadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron., 46, 1631 (2002).
7. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. H. Leem, and H. W. White, Appl. Phys. Lett., 83, 4032 (2003).
8. X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 40, L177 (2001).
9. T. Aoki and Y. Hatanaka, Appl. Phys. Lett., 76, 3257 (2000).
10. J. J. Chen, F. Ren, D. P. Norton, S. J. Pearton, A. Osinsky, J. W. Dong, and S. N. G. Chu, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G359 (2005).
11. J. J. Chen, S. Jang, F. Ren, Y. Li, H. S. Kim, D. P. Norton, S. J. Pearton, A. Osinsky, S. N. G. Chu, and J. F. Weaver, J. Electron. Mater., 35, 516 (2006).
12. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater., 4, 42 (2005).
13. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 44, L643 (2005).
14. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev, and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett., 83, 4719 (2003).
15. J. H. Lim, K. K. Kim, and D. K. Hwang, J. Electrochem. Soc., 152, G179 (2005).
16. S. J. Jiao, Z. Z. Zhang, and Y. M. Lu, Appl. Phys. Lett., 88, 031911 (2006).
17. H. Hosono, H. Ohta, K. Hayashi, M. Orita, and M. Hirano, J. Cryst. Growth, 237-239, 496 (2001).
18. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatiuk, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett., 85, 4272 (2004).
19. J. W. Dong, A. Osinsky, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Electron. Mater., 34, 416 (2005).
20. D.-K. Hwang, S.-H. Kang, J.-H. Lim, E.-J. Yang, J.-Y. Oh, J.-H. Yang, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett., 86, 222101 (2005).
21. A. Ohtomo, M. Kawasaki, I. Ohkubo, H. Koinuma, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett., 75, 980 (1999).
22. T. Minami, H. Tanaka, T. Shimakawa, and T. Miyata, Proc. SPIE, 5274, 399 (2004).
23. J. Tate, M. K. Jayaraj, A. D. Draeseke, T. Ulbrich, A. W. Sleight, K. A. Vanaja, R. Nagarajan, J. F. Wager, and R. L. Hoffman, Thin Solid Films, 411, 119 (2002).
24. R. Nagarajan, N. Duan, M. K. Jayaraj, J. Li, K. A. Vanaja, A. Yokochi, A. Draeseke, J. Tate, and A. W. Sleight, Int. J. Inorg. Mater., 3, 265 (2001).
25. R. Nagarajan, A. Draeseke, A. W. Sleight, and J. Tate, J. Appl. Phys., 89, 8022 (2001).
26. Handbook of Metal Etchants, P. Walker, and, W. H. Tarn, Editors, CRC Press, Boca Raton, FL (1991).