Origins of shallow level and hole mobility in codoped p-type ZnO thin films

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 10, 2007, Pages

  Ye, H B ^a   Kong, J F ^a   Shen, W Z ^a   Zhao, J L ^b   Li, X M ^b  

^a SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY   (China)

^b SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ELECTRIC PROPERTIES; GRAIN BOUNDARIES; HOLE MOBILITY; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; THIN FILMS;

CONDUCTION MECHANISMS; GRAIN BOUNDARY BARRIER EFFECT; IMPURITY SCATTERING;

ZINC OXIDE;

EID: 33947128809     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2711538     Document Type: Article

References (23)

1. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
2. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
3. C. H. Park, S. B. Zhang, and S. H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
4. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
5. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, D. Y. Li, J. G. Lu, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Appl. Phys. Lett. 88, 062107 (2006).
6. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
7. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
8. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 88, 052106 (2006).
9. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener, II, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
10. O. Lopatiuk-Tirpak, W. V. Schoenfeld, L. Chernyak, F. X. Xiu, J. L. Liu, S. Jang, F. Ren, S. J. Pearton, A. Osinsky, and P. Chow, Appl. Phys. Lett. 88, 202110 (2006).
11. T. Yamamoto and H. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
12. F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
13. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1205 (1999).
14. L. L. Chen, J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. M. Lin, B. H. Zhao, Y. M. Ye, J. S. Li, and L. P. Zhu, Appl. Phys. Lett. 87, 252106 (2005).
15. J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
16. I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
17. J. W. Orton and M. J. Powell, Rep. Prog. Phys. 43, 1263 (1980).
18. D. L. Rode, Semicond. Semimetals 10, 1 (1975).
19. T. Makino, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 6346 (2006).
20. R. Mansfield, in Hopping Transport in Solids, edited by, M. Pollak, and, B. I. Shklovshii, (North-Holland, Amsterdam, 1991), p. 349.
21. N. F. Mott, Adv. Phys. 0001-8732 10.1080/00018736700101265 16, 49 (1967); N. F. Mott, Philos. Mag. 19, 835 (1969).
22. N. F. Mott, Adv. Phys. 0001-8732 10.1080/00018736700101265 16, 49 (1967); N. F. Mott, Philos. Mag. 19, 835 (1969).
23. S. Bandyopadhyay, G. K. Paul, R. Roy, S. K. Sen, and S. Sen, Mater. Chem. Phys. 74, 83 (2002).