Growth of Ge thick layers on Si(001) substrates using reduced pressure chemical vapor deposition

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 11, 2006, Pages 8581-8585

  Park, Ji Soo ^a   Curtin, Michael ^a   Bai, Jie ^a   Carroll, Mark ^a   Lochtefeld, Anthony ^a  

^a AmberWave Systems Corporation   (United States)

Author keywords

Buffer; Chemical vapor deposition; Germanium; Island growth; Surface morphology

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GROWTH (MATERIALS); GROWTH TEMPERATURE; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SURFACE MORPHOLOGY;

LAYER THICKNESS; REDUCED PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

THICK FILMS;

EID: 33846980555     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.8581     Document Type: Article

References (28)

1. G. Masini, L. Colace and G. Assanto: Mater. Sci. Eng. B 89 (2001) 2.
2. R. Calaraco, M. Fiordelisi, S. Lagomarsino and F. Scarinci: Thin Solid Films 391 (2001) 138.
3. S. Lardenois, D. Pascal, L. Vivien, E. Cassan, S. Laval, R. Orobtchouk, M. Heitzmann, N. Bouzaida and L. Mollard: Opt. Lett. 28 (2003) 1150.
4. K. K. Lee, D. R. Lim, L. C. Kimerling, J. Shin and F. Cerrina: Opt. Lett. 26 (2001) 1988.
5. L. M. Giovane, D. R. Lim, S. H. Ahn, T. D. Chen, J. S. Foresi, L. Liao, E. J. Oulette, A. M. Agarwal. X. Duan, J. Michel, A. Thilderkvist and L. C. Kimerling: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 486 (1998) 45.
6. W. P. Bai, N. Lu, A. Ritenour, M. L. Lee, D. A. Antoniadis and D.-L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 175.
7. D. J. Eaglesham and M. Cerollo: Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 1943.
8. L. Colace, G. Masini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange and F. Evangelisti: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3175.
9. S. Fama, L. Colace, G. Masini, G. Assanto and H.-C. Luan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 586.
10. H.-C. Luan, R. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. S. Sandland, K. Wada and L. C. Kimerling: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2909.
11. J. M. Hartmann, A. Abbadie, A. m. Papon, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, J. M. Fedeli, M. Rouviere, L. Vivien and S. Laval: J. Appl. Phys. 95 (2004) 5905.
12. M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D. Debarre, L. H. Nguyen, Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, H. P. Strunk and C. Clerc: J. Appl. Phys. 97 (2005) 064907.
13. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz and E. A. Fitzgerlad: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1718.
14. R. Calaraco, M. Fiordelisi, S. Lagomarsino and F. Scarinci: Thin Solid Films 391 (2001) 138.
15. Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber and M. G. Lagally: Phys. Rev. Lett. 65 (1990) 1020.
16. M. Goryll, L. Vescan and H. Luth.: Mater. Sci. Eng. B 69-70 (2000) 251.
17. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg and R. S. Williams: J. Appl. Phys. 94 (2003) 4215.
18. T. I. Kamins, E. C. Carr, R. S. Williams and S. J. Rosner: J. Appl. Phys. 81 (1997) 211.
19. S. Kobayashi, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota and N. Mikoshiba: J. Cryst. Growth 174 (1997) 686.
20. A. Sakasi and T. Tatsumi: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 52.
21. D. J. Eaglesham, F. C. Unterwand and D. C. Jacobson: Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 966.
22. S. A. Chaparro, Y. Zhang, J. Druvker, D. Chandrasekhar and D. J. Smith: J. Appl. Phys. 87 (2000) 2245.
23. M. Goryll, L. Vescan and H. Luth: Thin Solid Films 336 (1998) 244.
24. M. Goryll, L. Vescan, K. Schmidt, S. Mesters, H. Luth and K. Szot: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 410.
25. V. Yam, Vinh Le Thanh, P. Boucaud, D. Debarre and D. Bouchier: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1251.
26. E. Kim, N. Usami and Y. Shiraki: Semicond. Sci. Technol. 14 (1999) 257.
27. F. K. LeGoues, M. Copel and R. Trom: Phys. Rev. Lett. 63 (1989) 1826.
28. T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A Fitzgerald, A. Lochtefeld and D. A. Antoniadis: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3700.