Modeling of anomalous shift and asymmetric hysteresis behavior of ferroelectric thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 11, 2004, Pages 6648-6656

  Wong, C K ^a   Shin, F G ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; HYSTERESIS; INTERFACES (MATERIALS); MATHEMATICAL MODELS; POLARIZATION; SWITCHING;

ANOMALOUS SHIFT; ASYMMETRIC HYSTERESSIS; FERROELECTRIC-FERROELECTRIC BILAYERS; SHIFT BEHAVIOR;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 33845627760     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1810634     Document Type: Article

References (31)

1. W. L. Warren, G. E. Pike, B. A. Tuttle, and D. Dimos, Appl. Phys. Lett. 70, 2010 (1997).
2. E. G. Lee, D. J. Wouters, G. Willems, and H. E. Maes, Appl. Phys. Lett. 69, 1223 (1996).
3. B. H. Park, T. W. Noh, J. Lee, C. Y. Kim, and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 70, 1101 (1997).
4. S. Okamura, S. Miyata, Y. Mizutami, T. Nishida, and T. Shiosaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5364 (1999).
5. D. Nagasawa and H. Nozawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5406 (1999).
6. W. Liu, J. Ko, and W. Zhu, Mater. Lett. 49, 122 (2001).
7. Y. Xu, C. J. Chen, R. Xu, and J. D. Mackenzie, J. Appl. Phys. 67, 2985 (1990).
8. S. K. Dey, J. J. Lee, and P. Alluri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3142 (1995).
9. J. J. Lee and S. B. Desu, Ferroelectr., Lett. Sect. 20, 27 (1995).
10. U. Robels, J. H. Calderwood, and G. Arlt, J. Appl. Phys. 77, 4002 (1995).
11. K. Abe, N. Yanase, T. Yasumoto, and T. Kawakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 6065 (2002).
12. T. Lü and W. Cao, Microelectron. Eng. 66, 818 (2003).
13. L. Baudry, J. Appl. Phys. 86, 1096 (1999).
14. K. W. Lee, Y. I. Kim, and W. J. Lee, Ferroelectrics 271, 1769 (2002).
15. V. C. Lo and Z. J. Chen, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 49, 980 (2002).
16. G. Poullain, R. Bouregba, B. Vilquin, G. Le Rhun, and H. Murray, Appl. Phys. Lett. 81, 5015 (2002).
17. R. Bouregba, G. Poullain, B. Vilquin, and G. Le Rhun, J. Appl. Phys. 93, 5583 (2003).
18. H. K. Chan, C. H. Lam, and F. G. Shin, J. Appl. Phys. 95, 2665 (2004).
19. Y. Watanabe, D. Sawamura, and M. Okano, Solid State Ionics 108, 109 (1998).
20. C. Yoshida, A. Yoshida, and H. Tamura, Appl. Phys. Lett. 75, 1449 (1999).
21. R. Bouregba and G. Poullain, J. Appl. Phys. 93, 522 (2003).
22. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
23. S. L. Miller, J. R. Schwank, R. D. Nasby, and M. S. Rodgers, J. Appl. Phys. 70, 2849 (1991).
24. L. Zheng, C. Lin, W.-P. Xu, and M. Okuyama, J. Appl. Phys. 79, 8634 (1996).
25. R. M. Corless, G. H. Gonnet, D. E. G. Hare, D. J. Jeffrey, and D. E. Knuth, Adv. Comput. Math. 5, 329 (1996).
26. R. Bouregba, G. Poullain, B. Vilquin, and H. Murray, Ferroelectrics 256, 47 (2001).
27. B. Chen, H. Yang, L. Zhao, J. Miao, B. Xu, X. G. Qiu, B. R. Zhao, X. Y. Qi, and X. F. Duan, Appl. Phys. Lett. 84, 583 (2004).
28. C. K. Wong, C. H. Tsang, and F. G. Shin, J. Appl. Phys. 96, 575 (2004).
29. M. Brazier, M. McElfresh, and S. Mansour, Appl. Phys. Lett. 72, 1121 (1998).
30. Y. T. Or, C. K. Wong, B. Ploss, and F. G. Shin, J. Appl. Phys. 93, 4112 (2003).
31. T. Shimuta, O. Nakagawara, T. Makino, S. Arai, H. Tabata, and T. Kawai, J. Appl. Phys. 91, 2290 (2002).