SiO2/Ta2O5 core-shell nanowires and nanotubes

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 45, Issue 46, 2006, Pages 7773-7778

  Chueh, Yu Lun ^a,b   Chou, Li Jen ^a   Wang, Zhong Lin ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Georgia Institute of Technology   (United States)

Author keywords

Nanostructures; Reduction; Silicon; Tantalum; Template synthesis

Indexed keywords

NANOTUBES; REDOX REACTIONS; SILICA; SOLUTIONS; TANTALUM COMPOUNDS; THERMAL EFFECTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CORE SHELL NANOSTRUCTURES; DILUTE SOLUTIONS; NANOWIRES; TEMPLATE SYNTHESIS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

NANOTUBE; NANOWIRE; OXIDE; SILICON DIOXIDE; TANTALUM; TANTALUM OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY;

MICROSCOPY, ELECTRON, SCANNING; NANOTUBES; NANOWIRES; OXIDES; SILICON DIOXIDE; TANTALUM;

EID: 33845345277     PISSN: 14337851     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.200602228     Document Type: Article

References (40)

1. a) C. Yu, Q. Hao, S. Saha, L. Shi, X. Kong, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 063101;
2. b) C. S. Lao, J. Liu, P. X. Gao, L. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, Z. L. Wang, Nano Lett. 2006, 6, 263;
3. c) A. B. Greytak, C. J. Barrelet, Y. Li, C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 151103;
4. d) Y. L. Chueh, L. J. Chou, C. M. Hsu, S. C. Kung, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 21831;
5. e) Z. L. Wang, Adv. Mater. 2003, 15, 432;
6. f) M. S. Arnold, P. Avouris, Z. W. Pan, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 659.
7. a) Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science 2001, 291, 1947;
8. b) P. X. Gao, Y. Ding, W. J. Mai, W. L. Hughes, C. S. Lao, Z. L. Wang, Science 2005, 309, 1700.
9. J. H. He, T. H. Wu, C. L. Hsin, K. M. Li, L. J. Chen, Y. L. Chueh, L. J. Chou, Z. L. Wang, Small 2006, 2, 116.
10. M. Cao, T. Liu, S. Gao, G. Sun, X. Wu, C. Hu, Z. L. Wang, Angew. Chem. 2005, 117, 4269;
11. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 4197.
12. J. Zhou, Y. Ding, S. Z. Deng, L. Gong, N. S. Xu, Z. L. Wang, Adv. Mater. 2005, 17, 2107.
13. a) Y. Zhu, F. Yu, Y. Man, Q. Tian, Y. He, N. Wu, J. Solid State Chem. 2005, 178, 224;
14. b) H. Schulz, L. Mädler, S. E. Pratsinis, P. Burtscher, N. Moszner, Adv. Mater. 2005, 17, 830;
15. c) A. Arranz, V. Pérez-Dieste, C. Palacio, Phys. Rev. B 2002, 66, 675420.
16. A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
17. T. J. Trentler, K. M. Hickman, S. C. Geol, A. M. Viano, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, Science 1995, 270, 1791.
18. P. D. Yang, C. M. Lieber, J. Mater. Res. 1997, 12, 2981.
19. Y. Wu, J. Xiang, C. Yang, W. Li, C. M. Lieber, Nature 2004, 430, 61.
20. a) J. Y. Zhang, L. J. Bie, I. W. Boyd, J. Appl. Phys. 1998, 37, L27;
21. b) R. T. Webb, Ten Years of TWT Progress Electron Power 1985, 2, 120;
22. c) S. Ezhilvalavan, T. Y. Tseng, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 1999, 10, 9.
23. a) D. P. Yu, Q. L. Hang, Y. Ding, H. Z. Zhang, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, G. C. Xiang, S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3076;
24. b) J. H. He, T. H. Wu, C. L. Hsin, L. J. Chen, Z. L. Wang, Electrochem. Solid State Lett. 2005, 8, G254.
25. K. H. Lee, S. W. Lee, R. R. Vanfleet, W. Sigmund, Chem. Phys. Lett. 2003, 376, 498.
26. Z. W. Pan, Z. R. Dai, C. Ma, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 1817.
27. S. H. Li, X. F. Zhu, Y. P. Zhao, J. Phys. Chem. B 2005, 108, 17032.
28. M. Zhang, E. Ciocan, Y. Bando, K. Wada, L. L. Cheng, P. Pirouz, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 491.
29. Further details of the crystal structure investigation may be obtained from the Fachinformationszentrum Karlsruhe, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany (fax: (+49)7247-808-666; e-mail: crysdata@fiz-karlsruhe.de, http://www.fiz-informationsdienste.de/en/DB/icsd/depot_anforderung.html) on quoting the deposition number ICSD-43498.
30. S. P. Murarka, J. Vac. Sci. Technol. 1980, 17, 775.
31. S. P. Murarka, Silicides For VULS Application, Academic Press, New York, 1983, p. 107.
32. a) W. H. Knausenberger, R. N. Tauber, J. Electrochem. Soc. 1973, 120, 927;
33. b) A. G. Revesz, J. J. Reynolds, J. F. Allison, J. Electrochem. Soc. 1976, 123, 889;
34. c) J. Jasapara, A. V. V. Nampoothir, W. Rudolph, Phys. Rev. B 2001, 63, 045117.
35. F. M. F. de Groot, G. Grioni, J. C. Fuggle, Phys. Rev. B 1989, 40, 5715.
36. H. Fei, X. Ai, M. Gao, Y. Yang, T. Zhang, J. Shen, J. Lumin. 1996, 66-67, 345.
37. a) Y. L. Chueh, L. J. Chou, S. L. Cheng, J. H. He, W. W. Wu, L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 133112;
38. b) Y. L. Chueh, L. J. Chou, S. L. Cheng, C. J. Tasi, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 223113.
39. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 5048.
40. J. Zhou, L. Gong, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, N. S. Xu, R. Yang, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 223108.