Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers prepared at various temperatures

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 19, 2006, Pages

  Kuo, C H ^a   Kuo, C W ^a   Chen, C M ^a   Pong, B J ^a   Chi, G C ^a  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY (OPTICAL); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NITRIDES; SEMICONDUCTOR GROWTH;

GROWTH TEMPERATURE; PIT WIDTH; SURFACE LAYERS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33750926546     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2386914     Document Type: Article

References (15)

1. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 3976 (1999).
2. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 559 (2001).
3. E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes (Cambrige University Press, New York, 2003), p. 91.
4. C. H. Kuo, C. C. Lin, S. J. Chang, Y. P. Hsu, J. M. Tsai, W. C. Lai, and P. T. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 52, 2346 (2005).
5. M. Khizar, Z. Y. Fan, K. H. Kim, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 86, 173504 (2005).
6. L. W. Wu, S. J. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. P. Hsu, C. H. Kuo, W. C. Lai, T. C. Wen, J. M. Tsai, and J. K. Sheu, Solid-State Electron. 47, 2027 (2003).
7. R. Windisch, C. Rooman, S. Meinlschmidt, P. Kiesel, D. Zipperer, G. H. Döhler, B. Dutta, M. Kuijk, G. Borghs, and P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 79, 2315 (2001).
8. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamurra, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004).
9. C. M. Tasi, J. K. Sheu, P. T. Wang, W. C. Lai, S. C. Shei, S. J. Chang, C. H. Kuo, C. W. Kuo, and Y. K. Su, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1213 (2006).
10. W. Liu, C. B. Soh, P. Chen, and S. J. Chua, J. Cryst. Growth 268, 509 (2004).
11. H. K. Cho, K. H. Lee, S. W. Kim, K. S. Park, Y. H. Cho, and J. H. Lee, J. Cryst. Growth 267, 67 (2004).
12. Y. Liu, T. Egawa, H. Ishikawa, H. Jiang, B. Zhang, M. Hao, and T. Jimbo, J. Cryst. Growth 264, 159 (2004).
13. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett. 23, 240 (2002).
14. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 744 (2002).
15. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004).