Growth of InAlAs self-assembled quantum dots on InAlGaAsInP for 1.55 μm laser applications by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 19, 2006, Pages

  Zhang, X B ^a   Ryou, J H ^a   Dupuis, R D ^a  

^a GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIMODAL SIZE DISTRIBUTION; GROWTH TEMPERATURES; SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOTS;

LASER APPLICATIONS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33750914714     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2385693     Document Type: Article

References (18)

1. For example, see V. A. Shchukin and D. Bimberg, Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999).
2. G. Walter, N. Holonyak, J. H. Ryou, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 79, 1956 (2001).
3. J. Kim, P. K. Kondratko, S. L. Chuang, G. Walter, N. Holonyak, Jr., R. D. Heller, X. B. Zhang, and R. D. Dupuis, IEEE J. Quantum Electron. 41, 1369 (2005).
4. O. B. Shchekin and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 80, 3277 (2002).
5. J. Tatebayashi, M. Ishida, N. Hatori, H. Ebe, H. Sudou, A. Kuramata, M. Sugawara, and Y. Arakawa, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 11, 1027 (2005).
6. N. N. Ledentsov, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 1015 (2002).
7. S. Anantathanasarn, R. Notzel, P. J. Van Veldhoven, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, J. Appl. Phys. 98, 013503 (2005).
8. A. Michon, G. Saint-Girons, G. Beaudoin, I. Sagnes, L. Largeau, and G. Patriarche, Appl. Phys. Lett. 87, 253114 (2005).
9. M. Borgstrom, M. P. Pires, T. Bryllert, S. Landi, W. Seifert, and P. L. Souza, J. Cryst. Growth 252, 481 (2003).
10. J. W. Jang, S. H. Pyun, S. H. Lee, I. C. Lee, W. G. Jeong, R. Stevenson, P. D. Dapkus, N. J. Kim, and D. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 3675 (2004).
11. C. N. Allen, P. J. Poole, P. Marshall, J. Fraser, S. Raymond, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. 80, 3629 (2002).
12. J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, W. S. Han, H. S. Kwack, C. W. Lee, and D. K. Oh, Appl. Phys. Lett. 85, 1033 (2004).
13. X. B. Zhang, R. D. Heller, M. S. Noh, R. D. Dupuis, G. Walter, and N. Holonyak, Jr., J. Electron. Mater. 32, 1335 (2003).
14. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutírrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
15. X. B. Zhang and S. K. Hark, J. Cryst. Growth 208, 231 (2000).
16. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 81, 3183 (1998).
17. X. B. Zhang, J. H. Ryou, and R. D. Dupuis (unpublished).
18. X. B. Zhang, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, G. Walter, and N. Holonyak, Jr., J. Appl. Phys. 98, 063501 (2006).