Influence of annealing on the bias voltage dependence of tunneling magnetoresistance in MgO double-barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB electrodes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 16, 2006, Pages

  Feng, Gen ^a   Van Dijken, Sebastiaan ^a   Coey, J M D ^a  

^a TRINITY COLLEGE DUBLIN   (Ireland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COBALT COMPOUNDS; ELECTRIC POTENTIAL; MAGNESIA; MAGNETORESISTANCE;

TMR RATIOS; TUNNELING MAGNETORESISTANCE (TMR); VOLTAGE DEPENDENCE;

TUNNEL JUNCTIONS;

EID: 33750161481     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2362977     Document Type: Article

References (23)

1. S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando, Nat. Mater. 3, 868 (2004).
2. S. Yuasa, T. Katayama, T. Nagahama, A. Fukushima, H. Kubota, Y. Suzuki, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 87, 222508 (2005).
3. Y. Ando, T. Miyakoshi, M. Oogane, T. Miyazaki, H. Kubota, K. Ando, and S. Yuasa, Appl. Phys. Lett. 87, 142502 (2005).
4. C. Tiusan, F. Greullet, M. Sicot, M. Hehn, C. Bellouard, F. Montaigne, S. Andrieu, and A. Schuhl, Appl. Phys. Lett. 99, 08A903 (2006).
5. C. Tiusan, M. Sicot, J. Faure-Vincent, M. Hehn, C. Bellouard, F. Montaigne, S. Andrieu, and A. Schuhl, J. Phys.: Condens. Matter 18, 941 (2006).
6. S. S. P. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, and S.-H. Yang, Nat. Mater. 3, 862 (2004).
7. D. D. Djayaprawira, K. Tsunekawa, M. Nagai, H. Maehara, S. Yuasa, Y. Suzuki, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 86, 092502 (2005).
8. K. Tsunekawa, D. D. Djayaprawira, M. Nagai, H. Maehara, S. Yamagata, S. Yuasa, Y. Suzuki, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 87, 072503 (2005).
9. G.-X. Miao, K. B. Chetry, A. Gupta, W. H. Butler, K. Tsunekawa, D. Djayaprawira, and G. Xiao, J. Appl. Phys. 99, 08T305 (2006).
10. C. Park, J.-G. Zhu, M. T. Moneck, Y. Peng, and D. E. Laughlin, J. Appl. Phys. 99, 08A901 (2006).
11. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, T. Tanikawa, F. Matsukura, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 99, 08A907 (2006).
12. W. H. Butler, X.-G. Zhang, T. C. Schulthess, and J. M. MacLaren, Phys. Rev. B 63, 054416 (2001).
13. X.-G. Zhang and W. H. Butler, Phys. Rev. B 70, 172407 (2004).
14. F. Montaigne, J. Nassar, A. Vaur̀s, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, A. Schuhl, and A. Fert, Appl. Phys. Lett. 73, 2829 (1998).
15. Y. Saito, M. Amano, K. Nakajima, S. Takahashi, M. Sagoi, and K. Inomata, IEEE Trans. Magn. 37, 1979 (2001).
16. S. Colis, G. Gieres, L. Bär, and J. Wecker, Appl. Phys. Lett. 83, 948 (2003).
17. T. Nozaki, A. Hirohata, N. Tezuka, S. Sugimoto, and K. Inomata, Appl. Phys. Lett. 86, 082501 (2005).
18. E. Kerr, S. van Dijken, and J. M. D. Coey, J. Appl. Phys. 97, 093910 (2005).
19. Z. P. Niu, Z. B. Feng, J. Yang, and D. Y. Xing, Phys. Rev. B 73, 014432 (2006).
20. J. C. S. Kools, W. Kula, D. Mauri, and T. Lin, J. Appl. Phys. 85, 4466 (1999).
21. B. D. Schrag, A. Anguelouch, S. Ingvarsson, G. Xiao, Y. Lu, P. L. Trouilloud, A. Gupta, R. A. Wanner, W. J. Gallagher, P. M. Rice, and S. S. P. Parkin, Appl. Phys. Lett. 77, 2373 (2000).
22. J. Kanak, T. Stobiecki, O. Schebaum, G. Reiss, and H. Brückl, Phys. Status Solidi B 243, 197 (2006).
23. S. Yuasa, Y. Suzuki, T. Katayama, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 87, 242403 (2005).