High-rate plasma-deposited SiO2 films for surface passivation of crystalline silicon

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 24, Issue 5, 2006, Pages 1823-1830

  Hoex, B ^a,b   Peeters, F J J ^a   Creatore, M ^a   Blauw, M A ^a   Kessels, W M M ^a   Van De Sanden, M C M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b OTB Solar   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COMPOSITION; DEPOSITION; PASSIVATION; REFRACTIVE INDEX; SILICA; SILICON; THIN FILMS;

FILM COMPOSITION; NUCLEAR PROFILING; SURFACE RECOMBINATION VELOCITY; THERMAL PLASMA;

CRYSTALLINE MATERIALS;

EID: 33748579050     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2232580     Document Type: Article

References (42)

1. J. H. Zhao, A. H. Wang, M. A. Green, and F. Ferrazza, Appl. Phys. Lett. 73, 1991 (1998).
2. A. G. Aberle, Crystalline Silicon Solar Cells: Advanced Surface Passivation and Analysis (UNSW, Sydney, 1999).
3. O. Schultz, S. W. Glunz, and G. P. Willeke, Prog. Photovoltaics 12, 553 (2004).
4. A. A. Bright, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1088 (1991).
5. M. Creatore, F. Palumbo, R. d'Agostino, and P. Fayet, Surf. Coat. Technol. 142, 163 (2001).
6. A. S. D. Sobrinho, M. Latreche, G. Czeremuszkin, J. E. Klemberg-Sapieha, and M. R. Wertheimer, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3190 (1998).
7. Y. Battell, M. Cneatore, M. Schaepkens, C. D. Iacovangelo, T. Miebach, and M. C. M. van de Sanden, Surf. Coat. Technol. 180-81, 367 (2004).
8. W. Kern and R. S. Rosler, J. Vac. Sci. Technol. 5, 1082 (1977).
9. Z. Chen, K. Yasutake, A. Doolittle, and A. Rohatgi, Appl. Phys. Lett. 63, 2117 (1993).
10. Z. Chen, S. K. Pang, K. Yasutake, and A. Rohatgi, J. Appl. Phys. 74, 2856 (1993).
11. A. Ebong, P. Doshi, S. Narasimha, A. Rohatgi, J. Wang, and M. A. El-Sayed. J. Electrochem. Soc. 146, 1921 (1999).
12. C. Leguijt et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 40, 297 (1996).
13. S. Sivoththaman, P. De Schepper, W. Laureys, J. F. Nijs, and R. P. Mertens, IEEE Electron Device Lett. 19, 505 (1998).
14. M. J. Kerr and A. Cuevas, Semicond. Sci. Technol. 17, 35 (2002).
15. C. S. Pai and C. P. Chang, J. Appl. Phys. 68, 793 (1990).
16. K. Ishii, Y. Ohki, and H. Nishikawa, J. Appl. Phys. 76, 5418 (1994).
17. A. D. Ross and K. K. Gleason, J. Appl. Phys. 97, 113707 (2005).
18. C. Rau and W. Kulisch, Thin Solid Films 249, 28 (1994).
19. Y. Qi, Z. G. Xiao, and T. D. Mantei, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1064 (2003).
20. L. Zajickova, J. Janca, and V. Perina, Thin Solid Films 338, 49 (1999).
21. M. F. A. M. van Hest, B. Mitu, D. C. Schram, and M. C. M. van de Sanden, Thin Solid Films 449, 52 (2004).
22. J. W. A. M. Gielen, W. M. M. Kessels, M. C. M. van de Sanden, and D. C. Schram, J. Appl. Phys. 82, 2643 (1997).
23. G. E. Jellison and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. 69, 371 (1996).
24. J. W. A. M. Gielen, M. C. M. van de Sanden, and D. C. Schram, Thin Solid Films 271, 56 (1995).
25. Y. Tamminga, F. H. P. M. Willemsen, F. H. P. M. Habraken, and A. E. T. Kuiper, Nucl. Instr. and Meth. 200, 499 (1982).
26. P. C. Zalm, Mikrochim. Acta 132, 243 (2000).
27. R. A. Sinton and A. Cuevas, Appl. Phys. Lett. 69, 2510 (1996).
28. M. Creatore, W. M. M. Kessels, Y. Barrell, J. Benedikt, and M. C. M. van de Sanden, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 283 (2004).
29. A. Sassella et al., J. Vac. Sci. Technol. A 15, 377 (1997).
30. M. Creatore, J. C. Cigal, G. M. W. Kroesen, and M. C. M. van de Sanden, Thin Solid Films 484, 104 (2005).
31. Y. H. Kim, M. S. Hwang, H. J. Kim, J. Y. Kim, and Y. Lee, J. Appl. Phys. 90, 3367 (2001).
32. D. V. Tsu, G. Lucovsky, and B. N. Davidson, Phys. Rev. B 40, 1795 (1989).
33. G. Lucovsky, J. Manitini, J. K. Srivastava, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 530 (1983).
34. A. Ermolieff, T. Sindzingre, S. Marthon, P. Martin, F. Pierre, and L. Peccoud, Appl. Surf. Sci. 64, 175 (1993).
35. M. J. Kerr and A. Cuevas, Semicond. Sci. Technol. 17, 166 (2002).
36. I. Martin, M. Vetter, A. Orpella, C. Voz, J. Puigdollers, and R. Alcubilla, Appl. Phys. Lett. 81, 4461 (2002).
37. M. Schaper, J. Schmidt, H. Plagwitz, and R. Brendel, Prog. Photovoltaics 13, 381 (2005).
38. C. T. Kirk, Phys. Rev. B 38, 1255 (1988).
39. L. He, Y. Kurata, T. Inokuma, and S. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 63, 162 (1993).
40. G. Lucovsky, J. Yang, S. S. Chao, J. E. Tyler, and W. Czubatyj, Phys. Rev. B 28, 3225 (1983).
41. G. Lucovsky, S. S. Chao, J. Yang, J. E. Tyler, and W. Czubatyj, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 353 (1984).
42. N. Inagaki and M. Taki, J. Appl. Polym. Sci. 27, 4337 (1982).